[發明專利]一種特種高純硅鐵提純裝置及方法

在審

• 申請號: 202110686026.6
• 申請日: 2021-06-21
• 公開（公告）號: CN113403447A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 白澤坤;曾鵬;葉朋;白鵬;楊飛雄;楊帆
• 申請（專利權）人: 寧夏金圓化工有限公司
• 主分類號: C21C7/00
• 分類號: C21C7/00
• 代理公司: 北京權智天下知識產權代理事務所(普通合伙) 11638
• 代理人: 徐小淇

1.一種特種高純硅鐵提純裝置及方法，其特征在于：包括硅鐵提純機構本體(1)、硅鐵提純加熱機構(2)、提純氧氣導入機構(3)、硅鐵提純除雜機構(4)、提純高溫保護機構(5)、硅鐵提純熔煉爐(6)，所述硅鐵提純機構本體(1)中部設置有硅鐵提純熔煉爐(6)，所述硅鐵提純熔煉爐(6)外側設置有硅鐵提純加熱機構(2)，所述硅鐵提純加熱機構(2)外側設置有提純高溫保護機構(5)，所述硅鐵提純熔煉爐(6)頂端設置有提純氧氣導入機構(3)，所述硅鐵提純熔煉爐(6)內側頂端設置有硅鐵提純除雜機構(4)。

2.根據權利要求1所述的一種特種高純硅鐵提純裝置及方法，其特征在于：所述硅鐵提純加熱機構(2)一端設置有提純加熱控制器(7)，所述提純加熱控制器(7)一端側面設置有提純加熱螺旋導管(8)，所述提純加熱控制器(7)另一端側面設置有控制器供能導線(9)。

3.根據權利要求1所述的一種特種高純硅鐵提純裝置及方法，其特征在于：所述提純氧氣導入機構(3)一端設置有旋轉式熔爐接入端頭(10)，所述提純氧氣導入機構(3)中部設置有氧氣導入軟管(11)，所述提純氧氣導入機構(3)另一端設置有氧氣導入接觸端頭(12)。

4.根據權利要求1所述的一種特種高純硅鐵提純裝置及方法，其特征在于：所述硅鐵提純除雜機構(4)底端設置有除雜機構金屬漏網(13)，所述除雜機構金屬漏網(13)頂端設置有金屬耐熱導桿(14)，所述除雜機構金屬漏網(13)設置為半圓形結構。

5.根據權利要求1所述的一種特種高純硅鐵提純裝置及方法，其特征在于：所述提純高溫保護機構(5)內側設置有內高溫反射夾層(15)，所述提純高溫保護機構(5)外側設置有耐高溫防護襯套(16)。

6.根據權利要求1所述的一種特種高純硅鐵提純裝置及方法，其特征在于：所述硅鐵提純熔煉爐(6)頂端側面設置有提純熔煉出料端口(17)，所述硅鐵提純熔煉爐(6)頂端設置有熔煉爐封堵蓋板(18)，所述熔煉爐封堵蓋板(18)頂端側面設置有熔煉爐提取耳板(19)，所述熔煉爐封堵蓋板(18)中部設置有除雜導桿活動槽孔(20)，所述除雜導桿活動槽孔(20)側面設置有氧氣導入端口(21)，所述硅鐵提純熔煉爐(6)側面設置有熔爐翻轉傾倒導桿(22)。

7.根據權利要求1所述的一種特種高純硅鐵提純裝置及方法，其具體操作流程及方便包括：一、先將提純用硅鐵原料放入硅鐵提純熔煉爐(6)內部；二、通過硅鐵提純加熱機構(2)對提純用硅鐵原料進行加熱；三、通過提純氧氣導入機構(3)向硅鐵提純熔煉爐(6)導入氧氣，促使提出原料加速融化；四、當提純用硅鐵原料處于液態時通過硅鐵提純除雜機構(4)進行除雜攪拌，5-10分鐘打開一次熔煉爐封堵蓋板(18)進行雜質清除；五、查看雜質清理量的變化，延長熔煉爐封堵蓋板(18)打開間隔時間；六、待確認無雜質后倒出硅鐵溶液，則此時特種高純硅鐵單次提純操作完成。