[發明專利]一種基于PFBT蒸發法的有機場效應晶體管制備方法

有效

• 申請號: 202110685746.0
• 申請日: 2021-06-21
• 公開（公告）號: CN113488592B
• 公開（公告）日: 2023-03-10
• 發明（設計）人: 李世光;杜文鵬;吳曉雅;李志捷;李忠盛;楊珂;甘涵臣
• 申請（專利權）人: 西安理工大學
• 主分類號: H10K71/16
• 分類號: H10K71/16;H10K71/60;H10K71/20;H10K10/84;H10K10/46
• 代理公司: 西安弘理專利事務所 61214
• 代理人: 劉娜

1.一種基于PFBT蒸發法的有機場效應晶體管制備方法，其特征在于，具體按照以下步驟實施：

步驟1、切片2×2cm硅片，取硅片，對硅片清洗處理后，通過光刻膠對硅片進行勻膠；

步驟2、將勻膠后的硅片通過掩膜版進行曝光，再通過顯影液進行顯影，隨后進行堅膜，獲得顯影樣片；

步驟3、在顯影樣片上依次蒸鍍鉻、銅，在顯影樣片上形成叉指電極；

步驟4、將含叉指電極的顯影樣片分別用丙酮、AZ去膠液、丙酮、乙醇、去離子水進行去膠，取出，在熱板上進行烘干，獲得含叉指電極的硅片；

步驟5、將質量分數為97％PFBT的溶液與無水乙醇按照1:10體積混合后置于培養皿中，將兩個硅片不含叉指電極的一面用膠帶粘連在一起，放置在培養皿中，將培養皿放在真空箱中靜置，獲得含有修飾層的硅片；

步驟6、對含有修飾層的硅片進行真空蒸鍍得到并五苯有源層，將得到的蒸鍍有并五苯有源層的硅背面粘貼柵電極，得到有機場效應晶體管。

2.根據權利要求1所述一種基于PFBT蒸發法的有機場效應晶體管制備方法，其特征在于，步驟1具體過程為：

步驟1.1、采用激光切割機將切割獲得2×2cm的硅片；

步驟1.2、將各硅片依次用丙酮、無水乙醇、去離子水各超聲分別清洗10～15min，將清洗好的硅片在100℃的無水乙醇中，使硅片與液面夾角成45°進行熱提拉；

步驟1.3、通過勻膠機內的光刻膠對步驟1.2得到硅片經熱提拉一面的表面進行勻膠，勻膠轉速為4000rpm，時間為30s，厚度為28～32nm。

3.根據權利要求1所述一種基于PFBT蒸發法的有機場效應晶體管制備方法，其特征在于，所述光刻膠型號為AZ5214。

4.根據權利要求1所述一種基于PFBT蒸發法的有機場效應晶體管制備方法，其特征在于，步驟2具體過程為：

步驟2.1、勻膠完成之后的硅片需要放在90℃的熱板上進行前烘，前烘時間為1min；

步驟2.2、用帶有溝道長度80～110μm圖案的掩模板正對前烘后硅片勻膠的一面進行曝光，曝光時間為7s，再將曝光后的硅片放置在110℃的熱板上進行后烘，后烘時間為1min，將后烘好的硅片帶有勻膠的一面正對光源進行二次泛曝光，曝光時間為40s；

步驟2.3、將曝光后的硅片放置于顯影液中進行顯影，顯影時間為40～60s，隨后取出，并用去離子水清洗；

步驟2.4、將去離子水清洗的硅片放置于干燥箱中進行堅膜，調整溫度為90～100℃，時間為5～7min，隨后取出置于真空干燥箱中、冷卻、干燥得到顯影樣片。

5.根據權利要求2所述一種基于PFBT蒸發法的有機場效應晶體管制備方法，其特征在于，步驟2.3中所述顯影液的型號為AZ-300MIF。

6.根據權利要求1所述一種基于PFBT蒸發法的有機場效應晶體管制備方法，其特征在于，步驟3具體過程為：將步驟2中得到的顯影樣片置于ZHD-300真空設備，控制真空度不大于1×10^-4Pa，在顯影樣片上經掩膜版進行曝光的一面依次蒸鍍2nm的鉻、28nm的銅，在顯影樣片上形成叉指電極。

7.根據權利要求1所述一種基于PFBT蒸發法的有機場效應晶體管制備方法，其特征在于，步驟4具體過程為：

步驟4.1、將含叉指電極的顯影樣片置于裝有丙酮的容器中并放入超聲波清洗機中，超聲10min進行一次去膠；

步驟4.2、將一次去膠完后的樣片置于裝有AZ去膠液的試管中并放入超聲波清洗機中，超聲10min進行二次去膠；

步驟4.3、將二次去膠完成后的樣片分別順序置于裝有丙酮、無水乙醇、去離子水的試管中并放入超聲波清洗機中，分別順序超聲10min、5min、10min進行表面清洗，取出樣片，放置于100℃的熱板上進行烘干，獲得含叉指電極的硅片。