[發明專利]一種薄膜晶體管的制備方法及薄膜晶體管

有效

• 申請號: 202110685607.8
• 申請日: 2021-06-21
• 公開（公告）號: CN113488390B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 高冬子
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述薄膜晶體管為背溝道刻蝕型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的制備方法包括：

通過PVD技術或磁控濺射沉積、光罩工藝蝕刻在玻璃基板上形成柵極；

在柵極上形成柵極絕緣層、半導體層、金屬層，所述半導體層包括有源層和歐姆接觸層；

沉積光阻，曝光、顯影，形成圖案化的光阻；

三步蝕刻工藝，其中

所述三步蝕刻工藝中的第一步蝕刻工藝包括：利用酸溶液濕法蝕刻裸露的金屬層；

所述三步蝕刻工藝中的第二步蝕刻工藝包括：干法蝕刻裸露的有源層和裸露的歐姆接觸層；以及灰化光阻；

所述三步蝕刻工藝中的第三步蝕刻工藝為同道蝕刻工藝，在同道蝕刻工藝中，利用含氟離子酸溶液蝕刻所述薄膜晶體管的溝道位置的金屬層和歐姆接觸層，所述含氟離子酸溶液中氟離子的質量百分比濃度為0.1～2％，所述歐姆接觸層的材料為摻雜的非晶硅。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述含氟離子酸溶液為無機酸溶液。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述摻雜的非晶硅選自磷摻雜的非晶硅、硼摻雜的非晶硅、砷摻雜的非晶硅、氮摻雜的非晶硅、鋁摻雜的非晶硅中的一種或多種。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述金屬層的材料選自銀、鐵、鉬、銅、鋁、鈦、氧化銦錫中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述有源層的材料選自氧化物半導體材料、非晶硅、單晶硅、低溫多晶硅中的一種或多種。