[發(fā)明專利]嵌入式晶片級光學(xué)傳感器封裝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110685459.X
• 申請日: 2021-06-21
• 公開（公告）號: CN113903756A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 欒竟恩
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/0203
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 董莘

1.一種裝置，包括：

傳感器裸片，具有第一表面、與所述第一表面相對的第二表面、以及在所述第一表面處的傳感器；

第一開口，延伸到所述傳感器裸片的一部分中；

光發(fā)射器，在所述開口中，所述光發(fā)射器具有與所述傳感器裸片的所述第一表面基本共面的第三表面；

樹脂，在所述開口中，并且在所述光發(fā)射器的側(cè)壁上；以及

第一透光結(jié)構(gòu)，在所述光發(fā)射器的所述第一表面上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括模制化合物，所述模制化合物在所述傳感器裸片的所述第一表面上、并且在所述第一透光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上，并且所述第一透光結(jié)構(gòu)的所述側(cè)壁橫向于所述第一表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述模制化合物的表面與所述第一透光結(jié)構(gòu)的所述表面基本共面。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述模制化合物在所述第一透光結(jié)構(gòu)的所述表面處，并且所述模制化合物包括暴露所述第一透光結(jié)構(gòu)的所述表面的第二開口，并且所述第一透光結(jié)構(gòu)的所述表面橫向于所述第一透光結(jié)構(gòu)的所述側(cè)壁。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第二透光結(jié)構(gòu)在所述傳感器裸片的所述傳感器上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，還包括模制化合物，所述模制化合物在所述傳感器裸片的所述第一表面上、在所述第一透光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上、以及在所述第二透光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中所述模制化合物的表面與所述第一透光結(jié)構(gòu)的表面和所述第二透光結(jié)構(gòu)的表面基本共面，所述第一透光結(jié)構(gòu)的所述表面橫向于所述第一透光結(jié)構(gòu)的所述側(cè)壁，所述第二透光結(jié)構(gòu)的所述表面橫向于所述第二透光結(jié)構(gòu)的所述側(cè)壁。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，還包括：

第二開口，在所述模制化合物中，所述第二開口暴露所述第一透光結(jié)構(gòu)的表面、在所述第一透光結(jié)構(gòu)的所述表面處的所述模制化合物，并且所述第一透光結(jié)構(gòu)的所述表面橫向于所述第一透光結(jié)構(gòu)的所述側(cè)壁；以及

第三開口，在所述模制化合物中，所述第三開口暴露所述第二透光結(jié)構(gòu)的表面、在所述第二透光結(jié)構(gòu)的所述表面處的所述模制化合物，并且所述第二透光結(jié)構(gòu)的所述表面橫向于所述第二透光結(jié)構(gòu)的所述側(cè)壁。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括在所述第一透光結(jié)構(gòu)中的鍵合線，并且所述鍵合線將所述光發(fā)射器耦合到所述傳感器裸片。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一開口從所述傳感器裸片的所述第一表面穿過所述傳感器裸片延伸到所述傳感器裸片的所述第二表面。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述光發(fā)射器還包括與所述傳感器裸片的所述第二表面基本共面的第四表面。

12.一種方法，包括：

形成延伸到晶片的第一表面的無源部分中的開口；

將電氣部件放置在所述開口中，并且將所述電氣部件的第二表面定位成與所述晶片的所述第一表面基本共面；以及

在所述電氣部件的側(cè)壁和所述開口的側(cè)壁之間形成樹脂，利用所述樹脂圍繞所述電氣部件。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中形成延伸到所述晶片的所述第一表面的所述無源部分中的所述開口還包括：形成從所述晶片的所述第一表面延伸到所述晶片的第三表面的所述開口，所述第三表面與所述晶片的所述第一表面相對。