[發明專利]納米復合材料膜片的涂裝制備方法有效
| 申請號: | 202110684562.2 | 申請日: | 2021-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN113388143B | 公開(公告)日: | 2021-12-07 |
| 發明(設計)人: | 張弘施;徐丁;尹琴秀 | 申請(專利權)人: | 深圳市恒康泰醫療科技有限公司 |
| 主分類號: | C08J7/06 | 分類號: | C08J7/06;C08J7/044;B41M1/12;B41M1/30;C08L67/02 |
| 代理公司: | 北京冠和權律師事務所 11399 | 代理人: | 趙銀萍 |
| 地址: | 518100 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米 復合材料 膜片 制備 方法 | ||
1.一種納米復合材料膜片的涂裝制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S100將石墨烯和磷烯兩種納米粉加入到溶劑中,或者將納米碳粉、納米金粉和納米銀粉加入到溶劑中,進行融合制成導電漿;
S200將導電漿均勻涂裝到柔性膜片上,形成柔性的納米復合材料膜片;
還包括:
拍攝納米復合材料膜片的表面圖像,對表面圖像進行中值濾波處理;
將經中值濾波處理后的表面圖像切割成m×n塊圖像碎片,并標示各圖像碎片對應表面圖像上的坐標;
提取圖像碎片的像素值,采用以下公式計算各圖像碎片相對于所有圖像碎片像素值的平均值的偏差:
上式中,δij表示坐標為(i,j)的圖像碎片相對于所有圖像碎片像素值的平均值的偏差;wij表示坐標為(i,j)的圖像碎片的像素值;m表示表面圖像切割后在縱坐標方向排列的圖像碎片數量;n表示表面圖像切割后在橫坐標方向排列的圖像碎片數量;
通過計算出的偏差與設定的篩選值進行比對,篩選出存在異常的圖像碎片及其對應表面圖像上的坐標,然后對篩選出的表面圖像坐標對應的納米復合材料膜片位置補充進行導電漿涂裝。
2.根據權利要求1所述的納米復合材料膜片的涂裝制備方法,其特征在于,在S100步驟中,所述溶劑采用二元酸酯混合物,所述二元酸酯混合物的材料成分 包括琥珀酸二甲酯、戊二酸二甲酯和已二酸二甲酯,且琥珀酸二甲酯、戊二酸二甲酯和已二酸二甲酯的質量混合比為1:1:1。
3.根據權利要求1所述的納米復合材料膜片的涂裝制備方法,其特征在于,在S100步驟中,所述導電漿的材料成分 石墨烯和磷烯的摩爾比為3~4:1,或者納米碳粉、納米金粉和納米銀粉的質量比為900~950:2:5。
4.根據權利要求1所述的納米復合材料膜片的涂裝制備方法,其特征在于,在S200步驟中,所述柔性膜片采用聚酯基板制作。
5.根據權利要求1所述的納米復合材料膜片的涂裝制備方法,其特征在于,在S100步驟中,在融合制成導電漿的過程中進行溫度控制,采用以下公式計算熱量需求:
上式中,Q需表示融合制成導電漿的過程中的熱量需求;k皿表示融合用器皿材質的傳熱系數;A皿表示融合用器皿材質的傳熱面積;t內表示融合用器皿的內部溫度;t外表示融合用器皿外部的環境溫度;N表示融合制成導電漿的材料成分 數量;Ck表示第k種材料成分 的比熱;Mk表示第k種材料成分 的質量;t工表示設定的融合制成導電漿的工藝溫度;tk表示第k種材料成分 的初始溫度;T設表示達到工藝溫度的設定時長;
根據熱量需求控制熱量供應。
6.根據權利要求1所述的納米復合材料膜片的涂裝制備方法,其特征在于,對表面圖像進行中值濾波處理時,采用以下公式進行中值濾波:
P(x)=med{w(x-ε),(ε∈W)}
上式中,P()表示中值濾波處理后的表面圖像;w()表示中值濾波處理前的表面圖像;x表示表面圖像坐標值;W表示二維滑動模板;ε表示二維滑動模板中的5*21的二維滑動模塊矩陣區域。
7.根據權利要求1所述的納米復合材料膜片的涂裝制備方法,其特征在于,所述柔性膜片上采用激光光刻構建控制電路,所述控制電路用于納米復合材料膜片的導電控制。
8.根據權利要求1-7中任意一項所述的納米復合材料膜片的涂裝制備方法,其特征在于,在所述納米復合材料膜片內封裝RFID芯片,所述RFID芯片內含納米復合材料膜片的產品信息,產品信息包括但不限于產品編號、制作日期、生產廠家和生產地。
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