[發明專利]一種復合孔徑薄膜及其制備方法

在審

• 申請號: 202110678808.5
• 申請日: 2021-06-18
• 公開（公告）號: CN113628956A
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 鄭德印;王瑋
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/306
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 張曉玲

1.一種復合孔徑薄膜，其特征在于，包括堆疊的第一摻雜硅層和第二摻雜硅層，所述第一摻雜硅層上分布有納米尺度的通孔，所述第二摻雜硅層上分布有微米尺度的通孔，所述第一摻雜硅層的摻雜濃度大于所述第二摻雜硅層的摻雜濃度。

2.根據權利要求1所述的復合孔徑薄膜，其特征在于，所述復合孔徑薄膜為一體結構；所述第一摻雜硅層為重度摻雜硅層，其電阻率為0.01Ω·cm以下；所述第二摻雜硅層為中度摻雜硅層，其電阻率范圍在1-30Ω·cm區間。

3.根據權利要求2所述的復合孔徑薄膜，其特征在于，所述重度摻雜硅層和中度摻雜硅層為摻雜了硼元素、鋁元素、鎵元素或銦元素的p型硅襯底。

4.根據權利要求1或2所述的復合孔徑薄膜，其特征在于，所述納米尺度的通孔的孔徑為50nm以下，深度為5μm以下；所述微米尺度的通孔的孔徑為2μm以上，深度為495μm以下。

5.根據權利要求1-4任一項所述的復合孔徑薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

對中度摻雜硅襯底進行預處理；

對所述中度摻雜硅襯底的淺表層進行摻雜，使其轉化為重度摻雜硅層；

在獲得重度摻雜硅層后，對所述襯底整體進行電化學腐蝕；以及

對所述襯底遠離所述重度摻雜硅層的表面進行減薄。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述預處理包括：通過酸、堿和超純水對所述中度摻雜硅襯底表面進行化學處理。

7.根據權利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，所述摻雜為擴散工藝或離子注入工藝。

8.根據權利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，所述電化學腐蝕工藝采用的腐蝕電流為1-100mA/cm²。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述電化學腐蝕工藝采用的腐蝕電流為10-50mA/cm²。

10.根據權利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，通過化學機械拋光、機械研磨、濕法刻蝕、干法刻蝕或其結合進行減薄。