[發明專利]一種碳化硅動態檢測設備

有效

• 申請號: 202110677477.3
• 申請日: 2021-06-18
• 公開（公告）號: CN113253087B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 杜浩晨
• 申請（專利權）人: 陜西開爾文測控技術有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R1/04;G01R1/02;B65G47/84;B65G17/12;B65G17/32;B65G59/02;B65G65/32;B65G23/22;B65G43/00
• 代理公司: 西安銘澤知識產權代理事務所(普通合伙) 61223
• 代理人: 崔瑞迎

本發明屬于半導體檢測設備技術領域，具體涉及一種碳化硅動態檢測設備，該設備包括檢測設備主體和進樣裝置，所述進樣裝置包括立架和外殼，所述立架上鋪設有與碳化硅器件端口以及檢測設備主體接線端口連接的導線，所述導線的用于插入上述端口的一端采用導電金屬柱，所述外殼的頂部設有穿接口；所述外殼內設有樣品存儲箱、樣品傳送裝置、樣品收集箱和控制器，所述樣品傳送裝置位于所述導電金屬柱和所述樣品存儲箱之間，所述樣品傳送裝置用于將碳化硅器件傳送至適宜的位置。本發明開發出了與碳化硅檢測設備配套使用的可連續檢測的進樣裝置，可將待檢的所有碳化硅器件連續性測試，比傳統的逐個器件測試過程大大提高了速度，節約人力。

技術領域

本發明屬于半導體檢測設備技術領域，具體涉及一種碳化硅動態檢測設備。

背景技術

半導體器件比如IGBT、碳化硅等是許多設備都會用到的器件，最常見的碳化硅半導體器件就是晶體管，碳化硅晶體管具阻斷電壓高、導通壓降低、關斷時間短以及耐高溫等一些列優勢，在電力電子器件的應用場合占據了非常大的優勢。在碳化硅期間中，SiC BJT具有更加獨特的優勢，如與SiC MOSFET相近的關斷時間，而且無需復雜的柵氧工藝。雖然SiC BJT具有獨特優勢，但作為流控型器件，在器件工作時，需要持續的基極電流供給，這就需要器件的各項功能均穩定發揮。

現有技術中，為了提升碳化硅器件的各項性能，科研工作者進行了多方面的研究，開發了具有快速開關和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管，開發了包括NPN型晶體管的集成碳化硅晶體管等。不管是晶體管的功能有哪些側重方向，在其投入使用前都需要經過功能測試。

我司前期工作中已經開發了一些晶體管測試儀，比如CN203838298U公開的晶體管掃描測試系統，其包括用于測試晶體管或者二極管的測試儀，還包括繼電器組以及繼電器控制單元，所述繼電器控制單元用于控制每個繼電器的通斷，所述繼電器控制單元設置在測試儀內，測試儀可以同時與多個晶體管器件進行連接，利用繼電器的開合來選擇所要測試的晶體管，配型單片機等可編程器件，能夠實現自動測試，提高測試效率。然而該項設備雖然可以將原有的晶體管測試儀從一個一個樣品的低效率檢測變成連續的樣品檢測過程，但是仍需要依賴繼電器等電器元件進行樣品更換過程，當電器元件的數量受到限制時，樣品的檢測數量也受到了限制。為了進一步提高碳化硅樣品的檢測效率，需要開發一種可連續更換檢測樣品的設備，既能滿足大量的待檢樣本檢測需求，又能自動化更換檢測樣品，減少更換檢測樣品的工作量。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種碳化硅動態檢測設備。

本發明的目的是提供一種碳化硅動態檢測設備，包括檢測設備主體，還包括進樣裝置，所述進樣裝置包括立架和外殼，所述立架上鋪設有與所述碳化硅器件端口以及檢測設備主體接線端口連接的導線，所述導線的與碳化硅器件端口連接的一端連接有導電金屬柱，所述外殼的頂部設有穿接口，所述導電金屬柱貫穿所述穿接口設置；

所述外殼內設有樣品存儲箱、樣品傳送裝置、樣品收集箱和控制器，所述樣品傳送裝置安裝在所述外殼內側壁，并位于所述導電金屬柱和所述樣品存儲箱之間，所述控制器安裝在所述外殼內壁，所述控制器與所述樣品傳送裝置連接；所述控制器用于控制所述樣品傳送裝置將所述樣品存儲箱內的所述碳化硅器件夾持起來，并傳輸至所述導電金屬柱處，使所述導電金屬柱插入對應的所述碳化硅器件端口，所述樣品傳送裝置還用于將已檢測的所述碳化硅器件轉移至所述樣品收集箱內，然后再抓取所述樣品存儲箱內新的所述碳化硅器件；

所述外殼上設置有樣品存儲箱和樣品收集箱的位置設置有活動門。

優選的，上述碳化硅動態檢測設備，所述樣品傳送裝置為機械爪，所述控制器與所述機械爪連接。

優選的，上述碳化硅動態檢測設備，所述樣品傳送裝置包括偏心輪、非偏心的傳送輪、傳送帶、樣品夾持件、樣品解鎖件和旋轉電機；