[發明專利]像素結構及顯示裝置在審
| 申請號: | 202110675322.6 | 申請日: | 2021-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN113421902A | 公開(公告)日: | 2021-09-21 |
| 發明(設計)人: | 周麗芳;詹敏;余珺;趙瑩 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 成都極刻智慧知識產權代理事務所(普通合伙) 51310 | 代理人: | 張紅平 |
| 地址: | 215000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 結構 顯示裝置 | ||
1.一種像素結構,其特征在于,包括陣列排布的多個像素單元,每個所述像素單元由分別位于兩相鄰像素列的三個不同顏色的第一子像素單元、第二子像素單元及第三子像素單元構成;
所述兩相鄰像素列包括第一像素列和第二像素列,所述第一像素列分布有所述第一子像素單元與所述第二子像素單元,所述第二像素列分布有所述第一子像素單元與所述第三子像素單元分布;
所述第一像素列和/或所述第二像素列包括多個重復單元,每個所述重復單元中包括兩相鄰排布的相同子像素單元。
2.如權利要求1所述的像素結構,其特征在于:
所述第一像素列中包括多個第一重復單元,每個所述第一重復單元包括一個所述第一子像素單元和兩個所述第二子像素單元,其中,兩個所述第二子像素單元在所述第一像素列上相鄰排布;
所述第二像素列中包括多個第二重復單元,每個所述第二重復單元包括一個所述第一子像素單元和兩個所述第三子像素單元,其中,兩個所述第三子像素單元在所述第二像素列上相鄰排布。
3.如權利要求2所述的像素結構,其特征在于:
所述像素單元由位于所述第一像素列中相鄰的第一子像素單元及第二子像素單元,和位于所述第二像素列中的第三子像素單元組成;或,
所述像素單元由位于所述第一像素列中的第二子像素單元,和位于所述第二像素列中相鄰的第一子像素單元及第三子像素單元組成。
4.如權利要求3所述的像素結構,其特征在于:
所述第二子像素單元的形狀及大小與所述第三子像素單元的形狀及大小相同。
5.如權利要求4所述的像素結構,其特征在于:
相鄰排布的兩個所述第二子像素單元在所述第一像素列的延伸方向具有第一間距,相鄰排布的兩個所述第三子像素單元在所述第二像素列的延伸方向具有第二間距,所述第一間距與所述第二間距相等。
6.如權利要求4所述的像素結構,其特征在于:
相鄰排布的兩個所述第二子像素單元在所述第一像素列的延伸方向具有第一間距,相鄰排布的所述第二子像素單元與所述第一子像素單元在所述第一像素列的延伸方向具有第三間距,所述第一間距小于所述第三間距;
相鄰排布的兩個所述第三子像素單元在所述第二像素列的延伸方向的具有第二間距,相鄰排布的所述第三子像素單元與所述第一子像素單元在所述第二像素列的延伸方向具有第四間距,所述第二間距小于所述第四間距。
7.如權利要求6中所述的像素結構,其特征在于:還包括用于限定出子像素單元開口的像素限定層;
在所述第一像素列中,在沿所述第一像素列的延伸方向,相鄰排布的兩個所述第二子像素單元之間的像素限定層的寬度為6~10um,相鄰排布的所述第二子像素單元與所述第一子像素單元之間的像素限定層的寬度為15um~25um;
優選的,在所述第一像素列中,相鄰排布的兩個所述第二子像素單元之間的像素限定層的寬度為8um,相鄰排布的所述第二子像素單元與所述第一子像素單元之間的像素限定層的寬度為20um;
在所述第二像素列中,在沿所述第二像素列的延伸方向,相鄰排布的兩個所述第三子像素單元之間的像素限定層的寬度為6~10um;相鄰排布的所述第三子像素單元與所述第一子像素單元之間的像素限定層的寬度為15um~25um;
優選的,在所述第二像素列中,相鄰排布的兩個所述第三子像素單元之間的像素限定層的寬度為8um,相鄰排布的所述第三子像素單元與所述第一子像素單元之間的像素限定層的寬度為20um。
8.如權利要求1-7中任意一項所述的像素結構,其特征在于:
所述第一子像素單元的數量、所述第二子像素單元的數量及所述第三子像素單元的數量之比為1:1:1。
9.如權利要求1-7中任意一項所述的像素結構,其特征在于:
所述第一子像素單元為紅色子像素單元,所述第二子像素單元為綠色子像素單元,所述第三子像素單元為藍色子像素單元。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1-9中任意一項所述的像素結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





