[發(fā)明專利]一種用于測(cè)量壁面液膜厚度的叉指陣列裝置及檢測(cè)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110675040.6
• 申請(qǐng)日: 2021-06-17
• 公開（公告）號(hào): CN113465488B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉莉;劉帥;顧漢洋;張琦;應(yīng)秉斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海交通大學(xué);上海核工程研究設(shè)計(jì)院有限公司
• 主分類號(hào): G01B7/06
• 分類號(hào): G01B7/06
• 代理公司: 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種用于測(cè)量壁面液膜厚度的叉指陣列裝置的檢測(cè)方法，其特征在于，所述裝置包括：

薄膜式電路基板；

所述薄膜式電路基板的前表面設(shè)置有N行感應(yīng)叉指電極，N為不小于2的整數(shù)；

所述薄膜式電路基板的前表面設(shè)置有M列激勵(lì)叉指電極，所述M列激勵(lì)叉指電極與所述N行感應(yīng)叉指電極交叉設(shè)置，M為不小于2的整數(shù)；

每?jī)尚邢噜徦龈袘?yīng)叉指電極之間設(shè)置有屏蔽叉指電極；

其中，每?jī)闪兴黾?lì)叉指電極，以及每?jī)尚兴龈袘?yīng)叉指電極之間并聯(lián)設(shè)置；

所述方法至少包括以下步驟：

將叉指陣列檢測(cè)裝置貼合于待測(cè)壁面；

獲取所述裝置的標(biāo)定基底值；

依次對(duì)每列激勵(lì)叉指電極進(jìn)行信號(hào)激勵(lì)；

接收每行感應(yīng)叉指電極中檢測(cè)到的感應(yīng)信號(hào)；

基于測(cè)量值和標(biāo)定基底值得到不同厚度液膜相對(duì)于標(biāo)定基底值的權(quán)重；

基于所述權(quán)重得到該權(quán)重下的液膜厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的叉指陣列裝置的檢測(cè)方法，其特征在于，所述獲取所述裝置的標(biāo)定基底值，包括：

測(cè)量所述檢測(cè)裝置在不同厚度液膜狀態(tài)下的權(quán)重?cái)?shù)值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的叉指陣列裝置的檢測(cè)方法，其特征在于，所述方法還包括：

通過調(diào)整不同的激勵(lì)叉指電極列數(shù)與感應(yīng)叉指電極行數(shù)組合關(guān)系，分析壁面二維空間內(nèi)不同位置的液膜厚度分布。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的叉指陣列裝置的檢測(cè)方法，其特征在于，每行所述感應(yīng)叉指電極包括若干感應(yīng)叉指電極單元，每個(gè)所述感應(yīng)叉指電極單元通過感應(yīng)叉指電極數(shù)據(jù)線串聯(lián)設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的叉指陣列裝置的檢測(cè)方法，其特征在于，每列所述激勵(lì)叉指電極包括若干激勵(lì)叉指電極單元，每個(gè)所述激勵(lì)叉指電極單元通過激勵(lì)叉指電極數(shù)據(jù)線串聯(lián)設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的叉指陣列裝置的檢測(cè)方法，其特征在于，每行所述屏蔽叉指電極包括若干屏蔽叉指電極單元，每個(gè)所述屏蔽叉指電極單元通過屏蔽叉指電極數(shù)據(jù)線串聯(lián)設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的叉指陣列裝置的檢測(cè)方法，其特征在于，每列所述激勵(lì)叉指電極、每行感應(yīng)叉指電極以及每行屏蔽叉指電極分別與一叉指電極數(shù)據(jù)接頭連接，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)信號(hào)的傳輸。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的叉指陣列裝置的檢測(cè)方法，其特征在于，所述薄膜式電路基板上設(shè)置有通孔；

所述激勵(lì)叉指電極數(shù)據(jù)線設(shè)置在所述薄膜式電路基板的后表面，透過所述通孔與所述激勵(lì)叉指電極單元連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的叉指陣列裝置的檢測(cè)方法，其特征在于，所述感應(yīng)叉指電極數(shù)據(jù)線與屏蔽叉指電極數(shù)據(jù)線于薄膜式電路基板前表面平行布置，與布置在薄膜式電路基板后表面的激勵(lì)叉指電極數(shù)據(jù)線交叉90°布置。