[發明專利]基于聚焦離子束刻蝕的加工正型結構的方法及應用在審
| 申請號： | 202110674301.2 | 申請日： | 2021-06-17 |
| 公開（公告）號： | CN113415782A | 公開（公告）日： | 2021-09-21 |
| 發明（設計）人： | 王雅思;洪文晶;劉俊揚;趙春鳳;鄭玨婷 | 申請（專利權）人： | 嘉庚創新實驗室 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 廈門原創專利事務所(普通合伙) 35101 | 代理人： | 郭金華 |
| 地址： | 361000 福建省廈門*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 聚焦 離子束 刻蝕 加工 結構 方法 應用 | ||
1.一種基于聚焦離子束刻蝕的加工正型結構的方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1，在硅襯底上沉積一層金屬薄膜；
S2，使用聚焦離子束刻蝕技術在所述金屬薄膜上刻蝕負型結構，所述負型結構的底部貫通金屬薄膜；
S3，再在所述金屬薄膜的上表面沉積黏附層，然后在所述黏附層上沉積二次沉積材料，同時保證在所述負型結構內填充所述黏附層和二次沉積材料；
S4，在所述二次沉積材料的上表面黏附透明膠帶，所述透明膠帶對所述二次沉積材料的上表面進行全覆蓋并露出至少一個邊沿；
S5，通過露出的邊沿，將所述襯底上的金屬薄膜剝離，留下所述負型結構內的黏附層和所述二次沉積材料黏附在所述襯底上，即在所述襯底上形成正型結構。
2.根據權利要求1所述的基于聚焦離子束刻蝕的加工正型結構的方法，其特征在于，所述金屬薄膜的金屬選自Au、Ag、Cu或Al。
3.根據權利要求1所述的基于聚焦離子束刻蝕的加工正型結構的方法，其特征在于，所述黏附層的金屬選自Cr或Ti。
4.根據權利要求1所述的基于聚焦離子束刻的蝕加工正型結構的方法，其特征在于，所述二次沉積材料選自金屬材料、半導體材料或電介質材料。
5.根據權利要求4所述的基于聚焦離子束刻的蝕加工正型結構的方法，其特征在于，所述金屬材料的金屬選自Ag、Cu、Au、Al、Pt或Ti。
6.根據權利要求4所述的基于聚焦離子束刻的蝕加工正型結構的方法，其特征在于，所述半導體材料選自GaAs、Al2O3、Ge或Si。
7.根據權利要求4所述的基于聚焦離子束刻的蝕加工正型結構的方法，其特征在于，所述電介質材料選自TiO2、SiO2或HfO2。
8.根據權利要求1所述的基于聚焦離子束刻蝕的加工正型結構的方法，其特征在于，所述金屬薄膜的厚度為第二次沉積材料的厚度的3-5倍。
9.根據權利要求1所述的基于聚焦離子束刻蝕的加工正型結構的方法，其特征在于，所述沉積為電子束蒸發設備沉積或熱蒸發設備沉積。
10.一種根據權利要求1至9任一項所述的方法制備的微納掩模版。
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