[發(fā)明專利]芯片烘烤固化方法及芯片裝片方法

在審

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• 申請日: 2021-06-17
• 公開（公告）號: CN113539895A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程仕紅;栗偉斌;孔曉琳;賴辰辰;甘榮武;張方思亮;李安平
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳米飛泰克科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/56
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 趙智博

1.一種芯片烘烤固化方法，其特征在于，利用具有充氮閥及排風(fēng)機(jī)的烘箱來烘烤芯片并固化芯片上的膠水，所述芯片烘烤固化方法包括：

在加熱揮發(fā)段，加熱所述烘箱，使所述烘箱內(nèi)溫度升至第一溫度，并使所述烘箱在第一時(shí)長內(nèi)保持所述第一溫度，其中，在所述加熱揮發(fā)段，開啟所述排風(fēng)機(jī)及所述充氮閥；

在加熱固化段，關(guān)閉所述排風(fēng)機(jī)，加熱所述烘箱，使所述烘箱內(nèi)溫度升至第二溫度，并使所述烘箱在第二時(shí)長內(nèi)保持所述第二溫度，其中，第二溫度為預(yù)設(shè)的膠水固化溫度，第二時(shí)長為所述膠水在所述第二溫度下固化所需的時(shí)間；

在冷卻降溫段，冷卻所述烘箱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片烘烤固化方法，其特征在于，所述第一溫度的范圍為95℃-105℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芯片烘烤固化方法，其特征在于，加熱所述烘箱，使所述烘箱內(nèi)溫度升至第一溫度所需的時(shí)間為10min-15min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芯片烘烤固化方法，其特征在于，所述第一時(shí)長為35min-45min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片烘烤固化方法，其特征在于，所述充氮閥的充氮流量為60L/MIN-80L/MIN。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片烘烤固化方法，其特征在于，所述加熱固化段包括第一恒溫區(qū)間、升溫區(qū)間和第二恒溫區(qū)間；在所述第一恒溫區(qū)間，關(guān)閉所述排風(fēng)機(jī)并使所述烘箱保持所述第一溫度；在所述升溫區(qū)間，加熱所述烘箱，使所述烘箱內(nèi)溫度升至所述第二溫度，所述升溫區(qū)間的時(shí)長為30min-40min；在所述第二恒溫區(qū)間，使所述烘箱保持所述第二溫度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片烘烤固化方法，其特征在于，所述冷卻所述烘箱包括：冷卻所述烘箱，使所述烘箱內(nèi)溫度降低至第三溫度；開啟所述排風(fēng)機(jī)，冷卻所述烘箱，使所述烘箱內(nèi)溫度降低至第四溫度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片烘烤固化方法，其特征在于，所述第三溫度的范圍為80℃-120℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片烘烤固化方法，其特征在于，所述第四溫度的范圍為80℃-85℃。

10.一種芯片裝片方法，其特征在于，所述芯片裝片方法包括：

利用膠水將芯片貼附于框架上；

采用如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的芯片烘烤固化方法烘烤所述芯片，使所述膠水固化。