[發(fā)明專利]晶圓對準掩膜版生成方法、裝置、計算機設備和存儲介質

在審

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• 申請日: 2021-06-17
• 公開（公告）號: CN113608410A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發(fā)明（設計）人: 李亮;韋亞一;張利斌;王云;薛靜
• 申請（專利權）人: 廣東省大灣區(qū)集成電路與系統(tǒng)應用研究院
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 周清華

1.一種晶圓對準掩膜版生成方法，其特征在于，所述方法包括：

獲取晶圓對準的標識圖形；

將所述標識圖形輸入至預設的工藝模型，得到所述工藝模型輸出的晶圓對準標識；

通過預設的衍射光強模型，得到所述晶圓對準標識的第一衍射光強和第二衍射光強；

根據(jù)所述第一衍射光強和第二衍射光強，得到所述晶圓對準的關鍵性能指標；

若所述關鍵性能指標在預設的指標閾值內，則生成掩膜版制備指令；所述掩膜版制備指令用于指示生成所述晶圓對準掩膜版。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第一衍射光強和第二衍射光強，得到所述晶圓對準的關鍵性能指標的步驟之后，還包括：

若所述關鍵性能指標不在所述指標閾值內，則更新所述晶圓對準的標識圖形，并返回至所述將所述標識圖形輸入至預設的工藝模型，得到所述工藝模型輸出的晶圓對準標識的步驟。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，所述關鍵性能指標包括晶圓質量、增量偏移和多重相關系數(shù)中的至少一種。

4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述工藝模型包括沉積模型、光刻模型、蝕刻模型和化學機械拋光模型中的至少一種。

5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，所述若所述關鍵性能指標不在所述指標閾值內，則更新所述晶圓對準的標識圖形，包括：

獲取關鍵性能指標和工藝模型；

根據(jù)所述關鍵性能指標和所述工藝模型，更新所述晶圓對準的標識圖形。

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述關鍵性能指標和所述工藝模型，更新所述晶圓對準的標識圖形，包括：

當所述關鍵性能指標低于預設閾值時，檢測所述工藝模型，若所述工藝模型為所述化學機械拋光模型或所述蝕刻模型，則通過增加冗余圖形或調整占空比來更新所述標識圖形，若所述工藝模型為所述光刻模型，則通過細分或切割來更新所述標識圖形，若所述工藝模型為所述沉積模型，則通過調整占空比來更新所述標識圖形；

或，

當所述關鍵性能指標低于預設閾值時，通過增加冗余圖形、調整占空比、細分和切割中的至少兩種，來更新所述標識圖形。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過預設的衍射光強模型，得到所述晶圓對準標識的第一衍射光強和第二衍射光強，包括：

通過將所述晶圓對準標識輸入至所述衍射光強模型，得到所述晶圓對準標識左側周期光柵的衍射光強和右側周期光柵的衍射光強；

根據(jù)所述左側周期光柵的衍射光強得到所述第一衍射光強，以及，根據(jù)所述右側周期光柵的衍射光強得到所述第二衍射光強。

8.一種晶圓對準掩膜版生成裝置，其特征在于，所述裝置包括：

標識圖形獲取模塊，用于獲取晶圓對準的標識圖形；

工藝模型模塊，用于將所述標識圖形輸入至預設的工藝模型，得到所述工藝模型輸出的晶圓對準標識；

衍射光強模型模塊，用于通過預設的衍射光強模型，得到所述晶圓對準標識的第一衍射光強和第二衍射光強；

關鍵性能指標獲取模塊，用于根據(jù)所述第一衍射光強和第二衍射光強，得到所述晶圓對準的關鍵性能指標；

掩膜版生成模塊，用于若所述關鍵性能指標在預設的指標閾值內，則生成掩膜版制備指令；所述掩膜版制備指令用于指示生成所述晶圓對準掩膜版。

9.一種計算機設備，包括存儲器和處理器，所述存儲器存儲有計算機程序，其特征在于，所述處理器執(zhí)行所述計算機程序時實現(xiàn)權利要求1至7中任一項所述的方法的步驟。

10.一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)權利要求1至7中任一項所述的方法的步驟。