[發(fā)明專利]一種IGBT兩級(jí)軟關(guān)斷短路保護(hù)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110671794.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-06-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113659968B | 公開(公告)日: | 2023-10-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡四全;周輝;馬俊杰;胡劍生;方玉鑫;歐宏;畢闖;陳同浩;田世克;雍進(jìn)玲;夏洪亮;趙起超;張銳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 許繼集團(tuán)有限公司;許繼電氣股份有限公司;電子科技大學(xué)長三角研究院(湖州) |
| 主分類號(hào): | H03K17/082 | 分類號(hào): | H03K17/082;H03K17/567 |
| 代理公司: | 北京中創(chuàng)云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11837 | 代理人: | 徐輝 |
| 地址: | 461000 河*** | 國省代碼: | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 igbt 兩級(jí) 軟關(guān)斷 短路 保護(hù)裝置 | ||
1.一種IGBT兩級(jí)軟關(guān)斷短路保護(hù)裝置,其特征在于,包括:基于Vce退飽和檢測(cè)的第一短路檢測(cè)模塊、基于柵極電流檢測(cè)的第二短路檢測(cè)模塊、第一軟關(guān)斷模塊、第二軟關(guān)斷模塊和柵極驅(qū)動(dòng)電阻;
所述第一短路檢測(cè)模塊分別與IGBT驅(qū)動(dòng)電路和IGBT的集電極連接,所述第二短路檢測(cè)模塊與所述第二軟關(guān)斷模塊串聯(lián)后再并聯(lián)于所述IGBT驅(qū)動(dòng)電路和所述IGBT的柵極之間,所述第一軟關(guān)斷模塊分別與所述IGBT的柵極和所述第一短路檢測(cè)模塊連接,所述IGBT的柵極通過所述柵極驅(qū)動(dòng)電阻與所述IGBT驅(qū)動(dòng)電路連接;
所述第一軟關(guān)斷模塊和所述第二軟關(guān)斷模塊分別通過FPGA與所述IGBT驅(qū)動(dòng)電路連接;
所述第一短路檢測(cè)模塊檢測(cè)所述IGBT的Vce電壓,在所述Vce電壓異常時(shí)向所述第一軟關(guān)斷模塊發(fā)出第一故障信號(hào);
所述第二短路檢測(cè)模塊檢測(cè)所述柵極電流,在所述柵極電流異常時(shí)向所述第二軟關(guān)斷模塊發(fā)出第二故障信號(hào);
所述第一軟關(guān)斷模塊和所述第二軟關(guān)斷模塊依次通過所述IGBT驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷所述IGBT,以減緩所述IGBT的關(guān)斷速度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT兩級(jí)軟關(guān)斷短路保護(hù)裝置,其特征在于,
所述第一短路檢測(cè)模塊包括:第三電壓比較器、第一二極管、FPGA控制器、第二電容、第五電阻和第六電阻;
所述第五電阻一端與所述IGBT的柵極連接,其另一端與所述第一二極管的正極連接;
所述第六電阻一端與所述第一二極管的正極連接,其另一端與所述IGBT驅(qū)動(dòng)電路連接;
所述第一二極管的負(fù)極與所述IGBT的集電極連接;
所述第二電容與所述第六電阻并聯(lián)連接;
所述第三電壓比較器的正極輸入端與所述第一二極管的正極連接,其負(fù)極輸入端與第二預(yù)設(shè)參考電壓源連接,其輸出端通過所述FPGA控制器與所述IGBT驅(qū)動(dòng)電路連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT兩級(jí)軟關(guān)斷短路保護(hù)裝置,其特征在于,
所述第二短路檢測(cè)模塊包括:差分比例運(yùn)算單元、積分運(yùn)算單元、第一電壓比較器、第二電壓比較器和邏輯與門單元;
所述差分比例運(yùn)算單元的正極輸入端和負(fù)極輸入端分別與所述柵極驅(qū)動(dòng)電阻的兩端連接,其輸出端與所述積分運(yùn)算單元的正極輸入端連接;
所述積分運(yùn)算單元的負(fù)極輸入端接地,其輸出端與所述第二電壓比較器的正極輸入端連接;
所述第一電壓比較器的正極輸入端與所述IGBT的柵極連接,其負(fù)極輸入端與第一預(yù)設(shè)參考電壓源連接,其輸出端與所述邏輯與門單元的第一輸入端連接;
所述第二電壓比較器的負(fù)極輸入端與第二預(yù)設(shè)參考電壓源連接,其輸出端與所述邏輯與門單元的第二輸入端連接;
所述邏輯與門單元的輸出端與所述FPGA連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IGBT兩級(jí)軟關(guān)斷短路保護(hù)裝置,其特征在于,
所述差分比例運(yùn)算單元包括:第一放大器、第一電阻、第二電阻、第一反饋電阻和第二反饋電阻;
所述第一放大器的正極輸入端通過所述第一電阻與所述柵極驅(qū)動(dòng)電阻的一端連接,還通過所述第一反饋電阻接地;
所述第一放大器的負(fù)極輸入端通過所述第二電阻與所述柵極驅(qū)動(dòng)電阻的另一端連接,其還通過所述第二反饋電阻與所述第一放大器的輸出端連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IGBT兩級(jí)軟關(guān)斷短路保護(hù)裝置,其特征在于,
所述積分運(yùn)算單元包括:第二放大器、第三電阻、第四電阻和第一電容;
所述第二放大器的正極輸入端通過所述第四電阻接地,其負(fù)極輸入端通過所述第三電阻與所述差分比例運(yùn)算單元的輸出端連接;
所述第一電容的兩端分別與所述第二放大器的負(fù)極輸入端和輸出端連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT兩級(jí)軟關(guān)斷短路保護(hù)裝置,其特征在于,
所述第一軟關(guān)斷模塊包括:第一開關(guān)管、第一柵極關(guān)斷保護(hù)電阻、第三電容和第八電阻;
所述第一開關(guān)管的漏極通過所述第一柵極關(guān)斷保護(hù)電阻與所述IGBT的柵極連接,其基極通過所述第八電阻與所述FPGA連接,其源極接地;
所述第三電容一端與所述第一開關(guān)管的基極連接,其另一端接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT兩級(jí)軟關(guān)斷短路保護(hù)裝置,其特征在于,
所述第二軟關(guān)斷模塊包括:第二開關(guān)管、第二柵極關(guān)斷保護(hù)電阻和第七電阻;
所述第二開關(guān)管的漏極通過所述第二柵極關(guān)斷保護(hù)電阻與所述IGBT的柵極連接,其源極接地,其基極通過所述第七電阻與所述第二短路檢測(cè)模塊的輸出端連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于許繼集團(tuán)有限公司;許繼電氣股份有限公司;電子科技大學(xué)長三角研究院(湖州),未經(jīng)許繼集團(tuán)有限公司;許繼電氣股份有限公司;電子科技大學(xué)長三角研究院(湖州)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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