[發明專利]二維溴摻雜的[3,3-二氟環丁基胺]2CuClXBr4-X分子壓電晶體溶液生長法在審
| 申請號： | 202110669348.X | 申請日： | 2021-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN113388890A | 公開（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發明（設計）人： | 程書平;吳瑜;程嘉欣;程婷婷;吳小羽;陳富裕;熊鑫穎;張俊鵬;艾勇;王仲夏;李鵬飛;謝永發;廖偉強;湯淵源 | 申請（專利權）人： | 南昌大學 |
| 主分類號： | C30B29/54 | 分類號： | C30B29/54;C30B7/06 |
| 代理公司： | 南昌青遠專利代理事務所(普通合伙) 36123 | 代理人： | 劉愛芳 |
| 地址： | 330000 江西省南*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二維 摻雜 二氟環 丁基 cuclxbr4 分子 壓電 晶體 溶液 生長 | ||
【權利要求書】：
1.一種二維溴摻雜的[3,3-二氟環丁基胺]2CuClXBr4-X分子壓電晶體溶液生長法，其特征在于，包括以下步驟：
S1.將3,3-二氟環丁胺鹽酸鹽、CuCl2和CuBr2完全溶解在溶劑中；
S2.將步驟S1中溶液中的溶劑在室溫下緩慢蒸發得到[3,3-二氟環丁基胺]2CuClXBr4-X晶體。
2.根據權利要求1所述的分子壓電晶體的溶液生長法，其特征在于：在步驟S1中，所述的3,3-二氟環丁胺鹽酸鹽、CuCl2和CuBr2的摩爾比為2：m：（1-m），其中0≤m≤1。
3.根據權利要求1所述的分子壓電晶體的溶液生長法，其特征在于：所述溶劑為甲醇、乙醇、丙酮或乙酸乙酯中的一種。
4.根據權利要求1所述的分子壓電晶體的溶液生長法，其特征在于：在步驟S2中，緩慢蒸發的溫度范圍為室溫到80攝氏度；蒸發所需時間為20~25天。
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