[發明專利]行譯碼電路及存儲器

有效

• 申請號: 202110669338.6
• 申請日: 2021-06-17
• 公開（公告）號: CN113129976B
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 聶虹;朱澤宇;趙岳;孫英
• 申請（專利權）人: 中天弘宇集成電路有限責任公司
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 施婷婷

本發明提供一種行譯碼電路及存儲器，包括：第一地址譯碼模塊，得到字線邏輯信號；字線預譯碼模塊，譯碼得到字線預譯碼信號及第一開關信號；第二地址譯碼模塊，得到第一及第二選擇信號；第三地址譯碼模塊，得到第三選擇信號；第一電平轉換模塊，對第一選擇信號電平轉換得到第一及第二控制信號；第二電平轉換模塊，對第二選擇信號電平轉換得到第三及第四控制信號；第三電平轉換模塊，對第三選擇信號電平轉換得到第五控制信號；字線切換開關信號產生模塊，基于各控制信號產生第二開關信號；字線切換模塊，基于第一及第二開關信號產生字線信號。本發明可以有效地減少行譯碼電路中電平轉換電路的數量，從而大大減小了行譯碼電路所占的面積。

技術領域

本發明涉及半導體存儲技術領域，特別是涉及一種行譯碼電路及存儲器。

背景技術

當前時代下，現代電子設備和嵌入式結構的飛速發展和廣泛應用，高集成度電路芯片的需求日益提高，從而催生出一系列對集成電路芯片面積的限制要求。對于存儲設備而言，減小FLASH存儲器的芯片面積，一直是大容量甚至超大容量FLASH存儲器芯片所追求的目標。

非易失性存儲器在編程和讀取操作時選中的字線需要正向高電壓，在擦除操作時選中的字線需要負向高電壓。以n=2^a為例，a為自然數，行譯碼電路要產生n條帶有正向高電壓或者負向高電壓的字線，需要n/4個字線切換開關。那么這些字線切換開關也必須是正向高電壓或者負向高電壓的。對于傳統設計來說，每一個字線切換開關都需要自己的電平轉換電路。那么這樣就需要n/4個電平轉換電路；產品容量越大，所需要的字線切換開關越多，相應的電平轉換電路越多，占用芯片面積越大，不利于小型化，不利于降低成本。

因此，如何進一步減小存儲器面積、降低成本，已成為本領域技術人員亟待解決的問題之一。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種行譯碼電路及存儲器，用于解決現有技術中存儲器面積大，成本高等問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種行譯碼電路，所述行譯碼電路至少包括：

第一地址譯碼模塊，接收第一至第J位地址信號，并譯碼得到字線邏輯信號；

字線預譯碼模塊，連接于所述第一地址譯碼模塊的輸出端，基于低壓電壓源和/或高壓電壓源對所述字線邏輯信號進行譯碼，得到字線預譯碼信號及第一開關信號；

第二地址譯碼模塊，接收第J+1至第M+2位地址信號，并譯碼得到第一選擇信號及第二選擇信號；

第三地址譯碼模塊，接收第M+3至第位地址信號，并譯碼得到第三選擇信號；

第一電平轉換模塊，連接于所述第二地址譯碼模塊的輸出端，基于所述低壓電壓源和/或所述高壓電壓源對所述第一選擇信號進行電平轉換，得到第一控制信號及第二控制信號；

第二電平轉換模塊，連接于所述第二地址譯碼模塊的輸出端，基于所述低壓電壓源和/或所述高壓電壓源對所述第二選擇信號進行電平轉換，得到第三控制信號及第四控制信號；

第三電平轉換模塊，連接于所述第三地址譯碼模塊的輸出端，基于所述低壓電壓源和/或所述高壓電壓源對所述第三選擇信號進行電平轉換，得到第五控制信號；

字線切換開關信號產生模塊，連接于所述第一電平轉換模塊、所述第二電平轉換模塊及所述第三電平轉換模塊的輸出端，基于所述第一控制信號、第二控制信號、第三控制信號、第四控制信號及第五控制信號產生第二開關信號；

字線切換模塊，連接于所述字線預譯碼模塊及所述字線切換開關信號產生模塊的輸出端，基于所述第一開關信號及所述第二開關信號產生k位字線信號；