[發明專利]一種透明導電電極及其低溫制備方法和應用在審
| 申請號: | 202110668834.X | 申請日: | 2021-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN113421822A | 公開(公告)日: | 2021-09-21 |
| 發明(設計)人: | 肖平;李夢潔;許世森;黃斌;趙東明;劉入維;馮笑丹;趙志國;秦校軍;李新連;張赟;劉家梁;王百月;王森;張杰 | 申請(專利權)人: | 華能新能源股份有限公司;中國華能集團清潔能源技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/283 | 分類號: | H01L21/283;H01L31/0224;H01L51/44;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 李紅霖 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 透明 導電 電極 及其 低溫 制備 方法 應用 | ||
本發明公開了一種透明導電電極及其低溫制備方法和應用,屬于導電薄膜技術領域。從下至上依次包括,IZO層、金屬層、WOx和ITO層,ITO層摻雜有氫在保證低電阻的同時能夠提高光學透過率,并通過合理的光學設計,在電池的吸光層中形成光學諧振,從而進一步增強基于其制備的電子器件的光電轉換效率。本發明的透明導電電極,是一種低阻值、高透過率的導電膜系,且可以實現低溫制備,滿足鈣鈦礦與晶硅、銅銦鎵硒疊層的無損傷、低阻、高透的需求。該性透明導電電極在可見光范圍內的平均透過率在85%以上,阻值為15ohm。
技術領域
本發明屬于導電薄膜技術領域,涉及一種透明導電電極及其低溫制備方法和應用。
背景技術
透明電極是一種同時具備高導電性和高可見光透過率的元件。它是構成太陽能電池、光電探測器、發光二極管、平板顯示器、觸控屏和智能窗等光電子器件的重要元件之一。目前鈣鈦礦太陽能電池大多采用金屬電極,例如:Au、Cu、Cu等不透明電極,然而金屬電極的鈣鈦礦電池不能應用在疊層電池中,,也不能應用在雙面發電鈣鈦礦電池中,因而限制了其應用領域。透明導電膜在光伏電池中主要用作電池的透明電極,不同透明導電膜的電學、光學以及結構對太陽能電池的光電特性和輸出特性(如電池的內外量子效率、短路電流、開路電壓、填充因子等)會產生不同的影響。作為單結光伏電池或疊層電池的透明電極,其需要滿足以下幾個基本條件:(1)在400-1200nm寬光譜范圍內具有高透過,以使入射太陽光能分別被鈣鈦礦頂電池和底電池有效吸收利用;(2)高電導率,以實現載流子的有效收集;(3)低損低溫制備技術,以減少對鈣鈦礦電池性能的影響。目前研究較多的透明電極包括透明導電氧化物、銀納米線、超薄金屬、石墨烯等體系。濺射的透明導電氧化物薄膜是研究最為廣泛的透明電極體系,主要以ITO薄膜為主。但是低溫制備的ITO薄膜方阻較高,會影響載流子的傳輸,進而影響電池性能。在現有的導電膜系中,如若降低方阻,那么光的透過率也會降低。方阻值和光透過率是矛盾的性能指標;且ITO透明導電薄膜低反射率波段很窄,不能增加高透波段的帶寬;表面粗糙度較大,降低了鈣鈦礦對光的吸收;彎折后電導率容易降低,不能滿足柔性電子器件的要求;另外,由于銦資源有限,ITO的成本和可持續性都存在隱憂。因此,研究者開始尋找高電導、高透過、低溫制備的透明導電氧化物薄膜體系。
綜上所述,現有的導電膜系無法同時滿足低電阻和高透過率以及低溫制備,所以亟需發展一種低電阻、高透過率低溫制備的導電膜系,使此透明電極膜系能在鈣鈦礦太陽能電池及其與晶硅、銅銦鎵硒疊層上應用。
發明內容
為了克服上述現有技術中,ITO透明導電薄膜低溫制備下電阻高、導電率差、表面粗糙度較大、彎折后電導率容易降低的缺點,本發明的目的在于提供一種透明導電電極及其低溫制備方法和應用。
為了達到上述目的,本發明采用以下技術方案予以實現:
一種透明導電電極,從下至上依次包括,IZO層、金屬層、WOx層和ITO層,ITO層摻雜有氫;
IZO層的厚度為5~15nm;金屬層的厚度為5~15nm;WOx層的厚度為2-7nm;ITO層的厚度為20~70nm。
優選地,金屬層為Au層、Ag層或Cu層。優選Ag層作為金屬層。
一種透明導電電極的低溫制備方法,IZO層、金屬層和ITO層均是通過低溫磁控濺射法或反應等離子體濺射法在溫度為-15~25℃的條件下制備的;
采用反應等離子體濺射法制備時,入射離子能量峰值70eV。
優選地,具體包括如下步驟:
步驟1)首先制備厚度為5~15nm的IZO層,作為種子層;
IZO層的具體制備參數如下:濺射功率為70-150W;Ar氣與O2的比例控制在(30~40):1;
步驟2)在IZO層上制備厚度為5~10nm的金屬層;
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





