[發(fā)明專利]一種具有高抗偏移特性的混合IPT耦合器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110668521.4
• 申請日: 2021-06-16
• 公開（公告）號: CN113314315B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發(fā)明（設計）人: 曲小慧;趙瑋
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01F27/28
• 分類號: H01F27/28;H01F27/42;H02J50/10
• 代理公司: 北京同輝知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11357
• 代理人: 何靜

1.一種具有高抗偏移特性的混合IPT耦合器，其特征在于，所述混合IPT耦合器包括原邊線圈L_P、原邊附加線圈L_A、副邊線圈L_S、副邊附加線圈L_B、原邊T型補償網(wǎng)絡和副邊補償電容C_B；

所述原邊線圈L_P的正極為混合IPT耦合器的原邊輸入正極，原邊線圈L_P的負極與原邊T型補償網(wǎng)絡的輸入端正極相連，原邊T型補償網(wǎng)絡輸入端負極為混合IPT耦合器的原邊輸入負極，原邊T型補償網(wǎng)絡的輸出端并聯(lián)在原邊附加線圈L_A上，副邊補償電容C_B并聯(lián)在副邊附加線圈L_B上，副邊線圈L_S的兩端為混合IPT耦合器的副邊輸出端口；

所述原邊線圈L_P與副邊線圈L_S之間的互感參數(shù)為第一同軸耦合線圈互感M_PS，原邊附加線圈L_A與副邊附加線圈L_B之間的互感參數(shù)為第二同軸耦合線圈互感M_AB，副邊線圈L_S與副邊附加線圈L_B之間的互感參數(shù)為交疊耦合線圈互感M_SB；

所述原邊T型補償網(wǎng)絡是由原邊補償電感L_X、原邊補償電容C_X和原邊附加補償電容C_A構成的補償網(wǎng)絡；

所述補償網(wǎng)絡的拓撲結(jié)構根據(jù)第一同軸耦合線圈互感M_PS、第二同軸耦合線圈互感M_AB和交疊耦合線圈互感M_SB的極性設計；

所述混合IPT耦合器為BP墊結(jié)構，混合IPT耦合器為集成線圈耦合變壓器，原邊線圈L_P、原邊附加線圈L_A、副邊線圈L_S和副邊附加線圈L_B共用一組磁芯結(jié)構；

互感參數(shù)M_PS、M_AB、M_SB滿足M_PS·M_AB·M_SB＞0時，原邊T型補償網(wǎng)絡設計為CLC拓撲；

互感參數(shù)M_PS、M_AB、M_SB滿足M_PS·M_AB·M_SB＜0時，原邊T型補償網(wǎng)絡設計為LCC拓撲。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種具有高抗偏移特性的混合IPT耦合器，其特征在于，所述原邊線圈L_P與原邊附加線圈L_A之間的互感參數(shù)為交疊解耦線圈互感M_PA，原邊線圈L_P與副邊附加線圈L_B之間的互感參數(shù)為第一交叉解耦線圈互感M_PB，副邊線圈L_S與原邊附加線圈L_A之間的互感參數(shù)為第二交叉解耦線圈互感M_SA，互感參數(shù)M_PA、M_PB和M_SA均近似為0；

所述第一同軸耦合線圈互感M_PS和第二同軸耦合線圈互感M_AB隨偏移變化趨勢相同，且M_PS≈M_AB，交疊耦合線圈互感M_SB近似為一個定值。