[發(fā)明專利]一種反向電動(dòng)勢(shì)主動(dòng)泄放保護(hù)電路及主動(dòng)滅弧方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110668181.5 | 申請(qǐng)日: | 2021-06-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113285436A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-08-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙佩云;朱忠芳;朱蝶;鄭瑞象 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江南晶電氣有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02H9/04 | 分類號(hào): | H02H9/04;H02H9/08;H02H7/09 |
| 代理公司: | 溫州冠天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33346 | 代理人: | 吳沖般 |
| 地址: | 325000 浙江省溫州市溫*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 反向 電動(dòng)勢(shì) 主動(dòng) 保護(hù) 電路 方法 | ||
1.一種反向電動(dòng)勢(shì)主動(dòng)泄放保護(hù)電路,其特征在于:包括有信號(hào)處理電路、泄放驅(qū)動(dòng)電路、放電電阻和極性切換電路,所述放電電阻的一端電連接所述極性切換電路,另一端電連接所述泄放驅(qū)動(dòng)電路,所述極性切換電路和所述信號(hào)處理電路均電連接所述泄放驅(qū)動(dòng)電路,所述極性切換電路設(shè)有用于并聯(lián)直流負(fù)載的兩個(gè)泄放接口,所述信號(hào)處理電路輸出用于控制直流負(fù)載的負(fù)載驅(qū)動(dòng)信號(hào)和用于控制所述泄放驅(qū)動(dòng)電路的泄放控制信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種反向電動(dòng)勢(shì)主動(dòng)泄放保護(hù)電路,其特征在于:所述極性切換電路采用整流電路,所述信號(hào)處理電路采用處理器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種反向電動(dòng)勢(shì)主動(dòng)泄放保護(hù)電路,其特征在于:所述泄放驅(qū)動(dòng)電路包括第一NMOS管、第二電阻、第四電阻、第五電阻、第一電容、穩(wěn)壓管和光電耦合器,所述整流電路的正輸出端電連接所述放電電阻的一端,負(fù)輸出端電連接所述第一NMOS管的S極,所述第一NMOS管的D極和所述第二電阻的一端均電連接所述放電電阻的另一端,第二電阻的另一端電連接所述穩(wěn)壓管的負(fù)極,所述第五電阻的一端和所述第一電容的一端均電連接所述第一NMOS管的G極,所述穩(wěn)壓管的正極、所述第五電阻的另一端和所述第一電容的另一端均電連接所述第一NMOS管的S極,所述光電耦合器的第一輸入引腳電連接所述第四電阻的一端,第四電阻的另一端電連接所述處理器的輸出端,光電耦合器的第二輸入引腳接地,所述光電耦合器的第一輸出引腳電連接所述穩(wěn)壓管的負(fù)極,光電耦合器的第二輸出引腳電連接所述第一NMOS管的G極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種反向電動(dòng)勢(shì)主動(dòng)泄放保護(hù)電路,其特征在于:所述整流電路采用整流橋堆。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種反向電動(dòng)勢(shì)主動(dòng)泄放保護(hù)電路,其特征在于:所述光電耦合器采用LTV-357T。
6.一種基于權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述反向電動(dòng)勢(shì)主動(dòng)泄放保護(hù)電路的應(yīng)用電路,其特征在于:還包括有負(fù)載控制電路,所述負(fù)載控制電路包括有普通繼電器,普通繼電器具有繼電器線圈和繼電器觸點(diǎn),所述信號(hào)處理電路輸出負(fù)載驅(qū)動(dòng)信號(hào)通斷所述繼電器線圈,所述直流負(fù)載的兩端分別電連接所述極性切換電路的兩個(gè)泄放接口,所述直流負(fù)載還串聯(lián)有所述繼電器觸點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種應(yīng)用電路,其特征在于:所述直流負(fù)載為高壓直流電機(jī),所述負(fù)載控制電路包括有第一普通繼電器和第二NMOS管,所述第一普通繼電器具有第一繼電器線圈和第一繼電器觸點(diǎn),第一繼電器觸點(diǎn)為常開(kāi)觸點(diǎn),所述第一繼電器線圈的一端接入DC12V,另一端電連接所述第二NMOS管的D極,第二NMOS管的S極接地,第二NMOS管的G極電連接所述信號(hào)處理電路的輸出端,所述高壓直流電機(jī)的正接線端電連接DC220V電源正極,高壓直流電機(jī)的負(fù)接線端電連接所述第一繼電器觸點(diǎn)的一端,第一繼電器觸點(diǎn)的另一端電連接DC220V電源負(fù)極。
8.一種基于權(quán)利要求3-5任一項(xiàng)所述反向電動(dòng)勢(shì)主動(dòng)泄放保護(hù)電路的主動(dòng)滅弧方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)處理器收到來(lái)自外部的負(fù)載關(guān)斷請(qǐng)求時(shí)處理器輸出泄放控制信號(hào);
(2)延時(shí),待第一NMOS管導(dǎo)通,第一NMOS管導(dǎo)通后使第一NMOS管、放電電阻與整流電路、直流負(fù)載形成放電回路;
(3)處理器輸出負(fù)載驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制開(kāi)關(guān)或繼電器關(guān)斷負(fù)載,延時(shí)等待放電結(jié)束;
(4)處理器終止輸出泄放控制信號(hào),第一NMOS管截止斷開(kāi)放電回路,完成負(fù)載關(guān)斷動(dòng)作。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于浙江南晶電氣有限公司,未經(jīng)浙江南晶電氣有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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