[發明專利]一種用于生長晶體的裝置及方法有效
| 申請號： | 202110667658.8 | 申請日： | 2021-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN113373516B | 公開（公告）日： | 2022-05-03 |
| 發明（設計）人： | 王宇;顧鵬;梁振興 | 申請（專利權）人： | 眉山博雅新材料股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/10 | 分類號： | C30B29/10;C30B9/12 |
| 代理公司： | 成都七星天知識產權代理有限公司 51253 | 代理人： | 嚴芳芳 |
| 地址： | 620010 四川省眉*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 生長 晶體 裝置 方法 | ||
1.一種方法，用于生長晶體，其特征在于，所述方法包括：
將生長所述晶體的原料置于生長腔體內；
通過加熱組件的第一加熱部件加熱所述生長腔體，以提供晶體生長所需的熱量；
通過加熱組件的第二加熱部件加熱所述原料的熔體液面附近的預設范圍以形成過熱區，其中，
所述過熱區的寬度與所述晶體直徑的比值在1:2-1:20范圍內，
所述過熱區為所述熔體液面以下距離所述熔體液面預設距離且溫度高于所述晶體的結晶溫度的熔體區域；以及
在生長所述晶體過程中，
監測晶體生長相關參數；
基于所述晶體生長相關參數，調節所述第一加熱部件和/或所述第二加熱部件的相關參數，以維持所述熔體液面附近的所述過熱區。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，
所述晶體生長相關參數包括所述熔體液面的位置；
所述基于所述晶體生長相關參數，調節所述第一加熱部件和/或所述第二加熱部件的相關參數，以維持所述熔體液面附近的所述過熱區包括：
基于所述熔體液面的位置，調節所述第二加熱部件的位置，以使所述第二加熱部件保持加熱所述熔體液面附近的所述預設范圍。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，
所述晶體生長相關參數包括所述預設范圍對應的溫度信息；
所述基于所述晶體生長相關參數，調節所述第一加熱部件和/或所述第二加熱部件的相關參數，以維持所述熔體液面附近的所述過熱區包括：
基于所述溫度信息，調節所述第一加熱部件和/或所述第二加熱部件的加熱參數，以維持所述熔體液面附近的所述過熱區。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
通過所述加熱組件的至少一個第三加熱部件加熱所述預設范圍上方，以形成溫度梯度場。
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