[發(fā)明專利]一種Zr-B-O-N薄膜、Cu互連結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110667577.8
• 申請日: 2021-06-16
• 公開（公告）號: CN113403597A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孟瑜;宋忠孝;李雁淮;宋寶睿
• 申請（專利權(quán)）人: 西安交通大學(xué);西安交通大學(xué)蘇州研究院
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/18;C23C14/06;C23C14/58;H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 馬貴香

1.一種Zr-B-O-N薄膜的制備方法，其特征在于：以ZrB₂復(fù)合靶為靶材，在N₂和Ar混合氣氛下進行反應(yīng)磁控濺射，在基底上沉積得到Zr-B-O-N薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Zr-B-O-N薄膜的制備方法，其特征在于：所述N₂和Ar的氣體流量比為1：(3～5)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Zr-B-O-N薄膜的制備方法，其特征在于：反應(yīng)磁控濺射采用射頻濺射或直流濺射。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Zr-B-O-N薄膜的制備方法，其特征在于：基底為硅基底。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Zr-B-O-N薄膜的制備方法，其特征在于：N₂和Ar純度均為99.99％。

6.采用權(quán)利要求1-5任一項所述的制備方法得到的Zr-B-O-N薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的Zr-B-O-N薄膜，其特征在于，其厚度為2～10nm。

8.一種Cu互連結(jié)構(gòu)，其特征在于：是在權(quán)利要求6或7所述的Zr-B-O-N薄膜上沉積Cu層得到。

9.權(quán)利要求8所述的Cu互連結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：以Cu靶為靶材，通過磁控濺射方法在Zr-B-O-N薄膜上沉積Cu，然后進行真空退火處理，得到Cu互連結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的Cu互連結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：真空退火處理的溫度為500-650℃。