[發明專利]一種基于自適應均衡技術的儲能單體充放電運行模型有效
| 申請號: | 202110666828.0 | 申請日: | 2021-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN113346591B | 公開(公告)日: | 2023-06-13 |
| 發明(設計)人: | 葉鵬;劉思奇;關多嬌;屈科明;楊碩;王士元;王楓淇;李天岳;魏靖曉;張政斌;楊宏宇;王子赫;邵旸棣 | 申請(專利權)人: | 沈陽工程學院 |
| 主分類號: | H02J7/00 | 分類號: | H02J7/00;H02J3/32 |
| 代理公司: | 沈陽亞泰專利商標代理有限公司 21107 | 代理人: | 邵明新 |
| 地址: | 110136 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 自適應 均衡 技術 單體 放電 運行 模型 | ||
1.一種基于自適應均衡技術的儲能單體充放電運行模型,其特征在于,包括:
獲取儲能單體各部分的運行參數;
設定儲能單體i的輸入/出功率關于荷電狀態的自適應均衡充、放電函數p(si)c、p(si)d;
設定儲能單體i的即刻荷電狀態si的充、放電運行函數f(si)c、f(si)d;
設定儲能單體i充、放電時荷電狀態的即刻運行點scn、sdn:
選取儲能單體i適當的即刻運行點和即刻運行區間,scn=(sshc+smid)/2、sdn=(smid+sshd)/2選取的是淺充、淺放荷電點和荷電中點的中值,該點接近荷電中點,儲能單體在該點附近運行時,能較好地體現儲能單體淺充淺放的特性;lcn=smid-smin、ldn=smax-smid選取的是最小、最大荷電點和荷電中點的運行區間;
將上述選取的即刻運行點和即刻運行區間代入,儲能單體i的即刻荷電狀態si的充放電運行函數如下:
式中,f(si)c、f(si)d為儲能單體i的即刻荷電狀態si的充、放電運行函數;si為儲能單體i的即刻荷電狀態;sshc為淺充荷電點;smid為荷電中點;sshd為淺放荷電點;smin為最小荷電點;smax為最大荷電點;si為即刻荷電狀態;
將自適應均衡技術應用于典型工業園區配置的儲能單體上,實現各儲能單體的自適應均衡。
2.根據權利要求1所述的一種基于自適應均衡技術的儲能單體充放電運行模型,其特征在于:基于自適應均衡技術的各儲能單體i的輸出/入功率關于荷電狀態的充放函數p(si)c、p(si)d如下:
式中:Ci為儲能單體i的額定容量;CΣ為所有進入調控層的儲能單體的總額定容量;Pi·rated為儲能單體i的額定功率;Ai為其自適應因子;Ai0為其自適應初等因子;di為其自分配系數;si為儲能單體i的即刻荷電狀態;sshc=0.4為淺充荷電點;sshd=0.6為淺放荷電點;smax=0.9為最大荷電點;smin=0.1為最小荷電點;smid=0.5為荷電中點。
3.根據權利要求1所述的一種基于自適應均衡技術的儲能單體充放電運行模型,其特征在于:所述運行參數包括:各儲能單體的額定容量Ci;額定功率Prated;自適應因子Ai;自適應初等因子Ai0;自分配系數di;即刻荷電狀態si。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于沈陽工程學院,未經沈陽工程學院許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110666828.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種使用多圈電位器的閘門高度控制裝置
- 下一篇:一種環保型工業廢水處理池





