[發明專利]一種局域二維-三維異質結鈣鈦礦薄膜及其制備方法和應用有效
| 申請號： | 202110666010.9 | 申請日： | 2021-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN113410396B | 公開（公告）日： | 2023-04-07 |
| 發明（設計）人： | 昂科科覺;李文輝;顧曉宇 | 申請（專利權）人： | 南方科技大學 |
| 主分類號： | H10K85/50 | 分類號： | H10K85/50;H10K71/12;H10K30/40;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 局域 二維 三維 異質結鈣鈦礦 薄膜 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種局域二維-三維異質結鈣鈦礦薄膜，其特征在于，所述局域二維-三維異質結鈣鈦礦薄膜包括三維鈣鈦礦薄膜和二維鈣鈦礦納米片的組合；
所述二維鈣鈦礦納米片嵌入所述三維鈣鈦礦薄膜表面晶界處，且不完全覆蓋所述三維鈣鈦礦薄膜；
所述二維鈣鈦礦納米片嵌入所述三維鈣鈦礦薄膜表面晶界處的深度為10～50nm。
2.根據權利要求1所述的局域二維-三維異質結鈣鈦礦薄膜，其特征在于，所述三維鈣鈦礦薄膜的厚度為300～500nm。
3.根據權利要求1所述的局域二維-三維異質結鈣鈦礦薄膜，其特征在于，所述三維鈣鈦礦薄膜的材料包括APbX3體系材料；
其中，A選自Cs+、CH3NH3+或HC(NH2)2+中的任意一種；
X選自Cl-、Br-或I-中的任意一種。
4.根據權利要求1所述的局域二維-三維異質結鈣鈦礦薄膜，其特征在于，所述二維鈣鈦礦納米片為Dion-Jacobson型二維鈣鈦礦納米片。
5.根據權利要求1所述的局域二維-三維異質結鈣鈦礦薄膜，其特征在于，所述二維鈣鈦礦納米片的材料包括SBn1-1Pbn2Y3n3+1體系材料；
其中，S選自(CH2)n4(NH3)22+中的任意一種；
B選自Cs+、CH3NH3+或HC(NH2)2+中的任意一種；
Y選自Cl-、Br-或I-中的任意一種；
n1為不小于1的整數；
n2為不小于1的整數；
n3為不小于1的整數；
n4為2～8的整數。
6.一種如權利要求1～5任一項所述局域二維-三維異質結鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：將二維鈣鈦礦前驅液滴加到三維鈣鈦礦薄膜上，后處理，得到所述局域二維-三維異質結鈣鈦礦薄膜。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述二維鈣鈦礦前驅液包括烷烴基雙胺氫碘酸鹽和醇類溶劑的組合。
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，以所述二維鈣鈦礦前驅液為1L計，所述烷烴基雙胺氫碘酸鹽的質量為0.1～0.4g。
9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述烷烴基雙胺氫碘酸鹽包括1,2-乙二胺氫碘酸鹽和/或1,4-丁二胺氫碘酸鹽。
10.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述醇類溶劑包括異丙醇。
11.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述后處理的溫度為100～120℃。
12.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述后處理的時間為8～12min。
13.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述后處理之前還包括旋轉的步驟。
14.根據權利要求13所述的制備方法，其特征在于，所述旋轉的轉速為4000～6000rpm。
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