[發明專利]一種彈性波諧振器及其制備方法

在審

• 申請號: 202110665708.9
• 申請日: 2021-06-16
• 公開（公告）號: CN113328723A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 歐欣;吳進波;張師斌;周鴻燕;張麗萍
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H03H9/13;H03H9/02
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 林麗麗

1.一種彈性波諧振器，其特征在于，所述彈性波諧振器至少包括：

支撐襯底；

壓電層，形成于所述支撐襯底的上表面；

叉指電極，形成于所述壓電層的上表面；

反射增強結構，至少形成于所述叉指電極的左右兩側，且形成于所述壓電層的上表面及/或所述壓電層中。

2.根據權利要求1所述的彈性波諧振器，其特征在于，所述反射增強結構包括：加厚反射柵或嵌入反射柵；其中，

所述加厚反射柵包括：反射柵電極和至少一層電極加厚層，所述反射柵電極形成于所述叉指電極的左右兩側，且形成于所述壓電層的上表面，所述電極加厚層形成于所述反射柵電極的上表面；

所述嵌入反射柵包括：反射柵電極，形成于所述叉指電極的左右兩側，且至少部分嵌入所述壓電層中；或者，

所述嵌入反射柵包括：反射柵電極和至少一層電極加厚層，所述反射柵電極形成于所述叉指電極的左右兩側，所述電極加厚層形成于所述反射柵電極的上表面，所述反射柵電極和所述電極加厚層至少部分嵌入所述壓電層中。

3.根據權利要求2所述的彈性波諧振器，其特征在于，所述反射增強結構還包括：柵電極指間槽和匯流條側槽中的至少一種；其中，所述柵電極指間槽形成于所述反射柵電極的相鄰兩電極指之間，且形成于所述壓電層中；所述匯流條側槽形成于所述叉指電極的前后兩側，且形成于所述壓電層中。

4.根據權利要求1所述的彈性波諧振器，其特征在于，所述反射增強結構包括：反射柵電極，形成于所述叉指電極的左右兩側，且形成于所述壓電層的上表面；所述反射增強結構還包括：柵電極指間槽和匯流條側槽中的至少一種；其中，所述柵電極指間槽形成于所述反射柵電極的相鄰兩電極指之間，且形成于所述壓電層中；所述匯流條側槽形成于所述叉指電極的前后兩側，且形成于所述壓電層中。

5.根據權利要求1所述的彈性波諧振器，其特征在于，所述反射增強結構包括：反射槽，形成于所述叉指電極的左右兩側，且形成于所述壓電層中；所述反射槽包括至少一個槽體，在所述槽體數量大于1個時，多個所述槽體沿垂直于所述叉指電極的電極指方向呈周期性排布。

6.根據權利要求5所述的彈性波諧振器，其特征在于，所述反射增強結構還包括：匯流條側槽，形成于所述叉指電極的前后兩側，且形成于所述壓電層中。

7.根據權利要求6所述的彈性波諧振器，其特征在于，所述匯流條側槽與所述反射槽連通。

8.一種彈性波諧振器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供一中間結構，其中，所述中間結構包括：支撐襯底及形成于所述支撐襯底上表面的壓電層；

于所述壓電層上表面形成叉指電極，并于所述壓電層上表面及/或所述壓電層中形成反射增強結構，其中，所述反射增強結構至少形成于所述叉指電極的左右兩側。

9.根據權利要求8所述的彈性波諧振器的制備方法，其特征在于，形成所述叉指電極和所述反射增強結構的方法包括：

于所述壓電層的上表面形成叉指電極和反射柵電極，并于所述反射柵電極的上表面形成至少一層電極加厚層，其中，所述反射柵電極形成于所述叉指電極的左右兩側；或者，

于所述壓電層中形成嵌入槽，之后于所述壓電層的上表面形成叉指電極，同時于所述嵌入槽中形成反射柵電極，其中，所述反射柵電極形成于所述叉指電極的左右兩側；或者，

于所述壓電層中形成嵌入槽，之后于所述壓電層的上表面形成叉指電極，同時于所述嵌入槽中形成反射柵電極，最后于所述反射柵電極的上表面形成至少一層電極加厚層，其中，所述反射柵電極形成于所述叉指電極的左右兩側。

10.根據權利要求9所述的彈性波諧振器的制備方法，其特征在于，所述方法還包括：于所述壓電層中形成柵電極指間槽及/或匯流條側槽的步驟；其中，所述柵電極指間槽形成于所述反射柵電極的相鄰兩電極指之間；所述匯流條側槽形成于所述叉指電極的前后兩側。