[發明專利]一種FeSe1-x 在審
| 申請號： | 202110665675.8 | 申請日： | 2021-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN113402277A | 公開（公告）日： | 2021-09-17 |
| 發明（設計）人： | 葛軍飴;張含芳;姜琬琰 | 申請（專利權）人： | 上海大學 |
| 主分類號： | C04B35/547 | 分類號： | C04B35/547;C04B35/622;C23C14/34 |
| 代理公司： | 重慶市信立達專利代理事務所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 劉潔 |
| 地址： | 200000 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 fese base sub | ||
本發明公開了一種FeSe1?xTex靶材的制備工藝，在熱壓燒結時，對燒結爐腔體以氬氣抽洗三次，真空度保持在10?2Pa，對模具中的粉胚施加27MPa的壓強，在整個燒結過程中保持該壓強，以30％的輸出功率經由30min升溫至400℃，再以50％的輸出功率經由30min升溫至目標溫度400℃?700℃，最終在400℃?700℃保溫12小時。本技術工藝制備的FeSe1?xTex靶材相比于現有工藝所制備的靶材，其致密性得到了較大的提高，并且可以通過改變燒結目標溫度連續調控FeSe1?xTex靶材的致密性，同時制得的FeSe1?xTex靶材成相好；解決了現有工藝制備的FeSe1?xTex靶材不夠致密，經脈沖激光多次轟擊后易粉化的問題；本制備工藝易于實現工業化，可用于百米、千米級FeSe1?xTex長帶涂層導體的制備，具有良好的應用前景。
技術領域
本發明屬于靶材制備技術領域，特別是涉及一種FeSe1-xTex靶材的制備工藝。
背景技術
FeSe1-xTex材料憑借其高臨界磁場、高臨界電流密度和小的各向異性在下一代高場磁體的設計中具有重要的應用前景。繞制高場磁體要解決的首要問題是制備出高性能的FeSe1-xTex長帶涂層導體。脈沖激光沉積(PLD)是當前FeSe1-xTex涂層導體制備的最主要方法。在FeSe1-xTex長帶涂層導體的制備中，FeSe1-xTex靶材是通過PLD激光的轟擊不斷產生等離子體羽輝的濺射源。而現在通過傳統的固相反應法制備得到的FeSe1-xTex靶材，其致密性都普遍不高。這樣的靶材在PLD產生的高能量密度以及高頻率的激光的轟擊下，易粉化，致使后續的成膜不平整且均勻性不佳，無法實現長帶涂層導體的制備。
發明內容
為了克服上述的問題，本發明提供了一種高質量、致密度可調控的FeSe1-xTex靶材的制備工藝。
本發明所采用的技術方案是：
一種FeSe1-xTex靶材的制備工藝，包括如下步驟：
步驟一：對原材料進行配比稱量：鐵粉為100目、硒粉為200目、碲粉為100目；
步驟二：稱量后的粉末放置于瑪瑙研缽中充分研磨30min，隨后將研磨好的混合粉末以400Mpa的壓強保持10min壓制成片，封裝在真空石英管中，進行第一次固相反應；
步驟三：以5℃/min的升溫速率升至400℃，預反應24小時，再以5℃/min的速率升溫至700℃，保溫3天，隨后降至室溫；
步驟四：對片狀混合粉末進行碾碎，研磨60min，再以400Mpa的壓強保持10min壓制成片，封裝在真空石英管中，進行第二次固相反應；
步驟五：以2℃/min的速率升溫至700℃，保溫3天，隨后降至室溫；
步驟六：對片狀混合粉末進行碾碎，研磨60min，再以400Mpa的壓強保持10min壓制成片，封裝在真空石英管中，進行第三次固相反應；
步驟七：以2℃/min的速率升溫至700℃，保溫3天，隨后降至室溫。保證粉胚的反應充分；
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