[發明專利]雙主回路驅動裝置及其控制方法在審
| 申請號: | 202110665251.1 | 申請日: | 2021-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN113346776A | 公開(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發明(設計)人: | 申永鵬;王延峰;劉普;李海林;梁偉華;王明杰;王乾;張細政;楊小亮;賀振東;杜海明;和萍;武潔;邱洪波;郭磊磊;李從善;謝小品;袁小芳;劉東奇;劉迪;武克軒;王帥兵;孫嵩楠;李信波;閆增偉;于福星 | 申請(專利權)人: | 鄭州輕工業大學 |
| 主分類號: | H02M7/48 | 分類號: | H02M7/48;H02M7/5387;H02M1/088;H02P27/08 |
| 代理公司: | 鄭州亦鼎知識產權代理事務所(普通合伙) 41188 | 代理人: | 張夏謙 |
| 地址: | 450000 *** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 回路 驅動 裝置 及其 控制 方法 | ||
1.一種雙主回路驅動裝置,其特征在于,包括由IGBT三相橋式逆變電路(1)和SIC-MOSFET三相橋式逆變電路(2)并聯構成的雙主回路;
由IGBT驅動與保護電路(4)、SIC-MOSFET驅動與保護電路(5)、多路選通器(6)和微控制器(7)構成的雙主回路PWM驅動信號的選通切換電路;
微控制器(7)輸出的PWM驅動信號聯通多路選通器(6),多路選通器(6)通過單刀雙擲選通聯通IGBT驅動與保護電路(4)或SIC-MOSFET驅動與保護電路(5);
SIC-MOSFET驅動與保護電路(5)輸出PWM驅動信號連接SIC-MOSFET三相橋式逆變電路(1);IGBT驅動與保護電路(4)輸出PWM驅動信號連接IGBT三相橋式逆變電路(1)。
2.根據權利要求1所述的雙主回路驅動裝置,其特征在于,微控制器(7)輸出的導通控制信號與多路選通器(6)聯通;多路選通器(6)根據導通控制信號確定需要選通的主回路。
3.根據權利要求2所述的雙主回路驅動裝置,其特征在于,微控制器的導通控制信號通過微控制器(7)的GPIO0\1\2\3管腳與多路選通器(6)的S0\S1\S2\EN管腳聯通,通過多路管腳的選通真值表確定選通關系。
4.根據權利要求1所述的雙主回路驅動裝置,其特征在于,IGBT三相橋式逆變電路(1)與SIC-MOSFET三相橋式逆變電路(2)的ABC三相的上下橋臂中點分別并聯,并連接至電機(8)。
5.根據權利要求1所述的雙主回路驅動裝置,其特征在于,還包括直流母線電容模塊(3),包括n個串聯的直流母線電容,串聯后的正負極分別連接至SIC-MOSFET三相橋式逆變電路(1)與IGBT三相橋式逆變電路(2)的正極和負極。
6.根據權利要求1所述的雙主回路驅動裝置,其特征在于,SIC-MOSFET驅動與保護電路(5)和IGBT驅動與保護電路(4)接收三路上橋臂開關信號,并依據設定的死區控制時間,將其轉換成互補的三路下橋臂開關信號。
7.一種雙主回路驅動裝置的控制方法,用于控制權利要求1-6的雙主回路驅動裝置,其特征在于,包括步驟:
(1)計算M*N個工況點的IGBT和SIC-MOSFET的損耗差值百分比η,構造η[M][N]矩陣,并內置于微控制器;其中,M為轉矩點個數,N為轉速點個數;
(2)采集實時工況點(ω,T);其中,ω為轉速值,T為轉矩值;
(3)根據內置η[M][N]矩陣,計算實時工況點(ω,T)的IGBT和SIC-MOSFET損耗差值百分比η(ω,T);
(4)當η(ω,T)增加且大于切換上限ηa時,微控制器控制多路選通器切換至SiC-MOSFET三相橋式逆變電路;當η(ω,T)減小且小于切換下限ηb時,微控制器控制多路選通器切換至IGBT三相橋式逆變電路。
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