[發明專利]一種高頻磁性元件繞組交流電阻測量校正方法

在審

• 申請號: 202110664956.1
• 申請日: 2021-06-16
• 公開（公告）號: CN115480201A
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 駱仁松;汪濤;張茂強;文繼鋒;李響;虞曉陽;劉健;周建華;陳舒
• 申請（專利權）人: 南京南瑞繼保電氣有限公司;國網江蘇省電力有限公司電力科學研究院
• 主分類號: G01R35/02
• 分類號: G01R35/02
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 姜慧勤

1.一種高頻磁性元件繞組交流電阻測量校正方法，在高頻磁性元件中設置輔助繞組，考慮輔助繞組與被測繞組間耦合電容的影響，對被測繞組的交流電阻值進行校正；其特征在于，該方法包括如下步驟：

步驟1，測量被測繞組漏阻抗；

步驟2，測量并得到被測繞組與輔組繞組總漏阻抗的頻率特性曲線；

步驟3，根據步驟2的頻率特性曲線擬合得到被測繞組與輔組繞組總漏阻抗中的特征參數；

步驟4，根據特征參數計算誤差系數；

步驟5，根據被測繞組漏阻抗與誤差系數計算被測繞組交流電阻。

2.根據權利要求1所述高頻磁性元件繞組交流電阻測量校正方法，其特征在于，所述步驟1中，通過阻抗測量儀器測量被測繞組漏阻抗，并且阻抗測量儀器的電流激勵支路低電位接口和電壓測量參考地接口連接至被測繞組的同一端，阻抗測量儀器的電壓測量點接口連接輔助繞組的一端，被測繞組和輔助繞組的另一端相互短接并連接至阻抗測量儀器的電流激勵支路高電位接口，被測繞組和輔助繞組相互短接的一端為同名端。

3.根據權利要求1所述高頻磁性元件繞組交流電阻測量校正方法，其特征在于，步驟1所述被測繞組漏阻抗的表達式為：

Z_AW＝K_c(r₁+jωl₁)

其中，Z_AW為被測繞組漏阻抗，K_c為誤差系數，c為被測繞組與輔助繞組之間的等效耦合電容，r₁和r₂分別為被測繞組與輔助繞組的交流電阻，l₁和l₂分別為被測繞組與輔助繞組的漏感，ω為測量頻率，ω_r、ξ為特征參數，j為虛數單位。

4.根據權利要求1所述高頻磁性元件繞組交流電阻測量校正方法，其特征在于，所述被測繞組與輔組繞組總漏阻抗的表達式為：

其中，Z_Aa為被測繞組與輔組繞組總漏阻抗，c為被測繞組與輔助繞組之間的等效耦合電容，ω為測量頻率，ω_r、ξ為特征參數，j為虛數單位。

5.根據權利要求1所述高頻磁性元件繞組交流電阻測量校正方法，其特征在于，步驟4所述計算誤差系數所需的測量電路為：阻抗測量儀器的電流激勵支路低電位接口和電壓測量參考地接口連接被測繞組的同一端，阻抗測量儀器的電壓測量點接口和電流激勵支路高電位接口連接輔助繞組的同一端，被測繞組和輔助繞組的另一端相互短接，被測繞組和輔助繞組相互短接的一端為同名端。

6.根據權利要求1所述高頻磁性元件繞組交流電阻測量校正方法，其特征在于，步驟5所述被測繞組交流電阻為被測繞組漏阻抗與誤差系數的比值的實部。