[發(fā)明專(zhuān)利]一種射頻收發(fā)前端封裝結(jié)構(gòu)及系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110664563.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-06-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113594154B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-08-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張博文;林小飛;楊帆;劉浩 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 北京無(wú)線電測(cè)量研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L25/18 | 分類(lèi)號(hào): | H01L25/18;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/498;H04B1/38;H04B1/40;H04B1/44 |
| 代理公司: | 北京正理專(zhuān)利代理有限公司 11257 | 代理人: | 白淑賢 |
| 地址: | 100854*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 射頻 收發(fā) 前端 封裝 結(jié)構(gòu) 系統(tǒng) | ||
1.一種射頻收發(fā)前端封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
外殼,其中,所述外殼底部設(shè)置有金屬熱沉;
設(shè)置于所述金屬熱沉上的散熱墊片和基板,其中,所述散熱墊片在所述金屬熱沉上的正投影與所述基板在所述金屬熱沉上的正投影不重疊;
設(shè)置于所述散熱墊片上的第一芯片,所述散熱墊片用于對(duì)所述第一芯片進(jìn)行散熱;
設(shè)置于所述基板上的第二芯片,所述基板用于實(shí)現(xiàn)所述外殼、所述第一芯片及所述第二芯片之間的電連接;
與所述外殼對(duì)盒的蓋板,所述外殼與所述蓋板形成密閉腔體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述外殼的材料為氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷或塑料中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述外殼的封裝形式為四側(cè)無(wú)引腳封裝、方形扁平式封裝或球柵陣列封裝中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述散熱墊片為鉬銅、鎢銅或金剛石銅中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述基板至少包括印制板、低溫共燒陶瓷基板、高溫共燒陶瓷基板、有機(jī)基板或硅基板中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一芯片至少包括驅(qū)動(dòng)放大器、功率放大器、開(kāi)關(guān)芯片、低噪聲放大器、雙向放大器、限幅器或衰減器芯片中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二芯片至少包括幅相多功能芯片、濾波器芯片或混頻器芯片中的一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括
設(shè)置于所述基板上的第三芯片,所述第三芯片用于對(duì)所述第一芯片和所述第二芯片進(jìn)行電壓調(diào)控,其中,所述外殼、第一芯片、第二芯片及第三芯片通過(guò)所述基板實(shí)現(xiàn)電連接。
9.一種采用權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)的射頻收發(fā)前端系統(tǒng),其特征在于,包括:第一雙向放大器、第二雙向放大器、第三雙向放大器、第四雙向放大器、幅相多功能芯片、第五雙向放大器及電源調(diào)制芯片,其中,
所述第一雙向放大器包括第一接收通道和第一發(fā)射通道,所述第一接收通道和第一發(fā)射通道構(gòu)成第一通道;
所述第二雙向放大器包括第二接收通道和第二發(fā)射通道,所述第二接收通道和第二發(fā)射通道構(gòu)成第二通道;
所述第三雙向放大器包括第三接收通道和第三發(fā)射通道,所述第三接收通道和第三發(fā)射通道構(gòu)成第三通道;
所述第四雙向放大器包括第四接收通道和第四發(fā)射通道,所述第四接收通道和第四發(fā)射通道構(gòu)成第四通道;
所述第五雙向放大器包括第五接收通道和第五發(fā)射通道;
所述幅相多功能芯片用于接收來(lái)自所述第一接收通道、第二接收通道、第三接收通道及第四接收通道的第一射頻信號(hào),并對(duì)所述第一射頻信號(hào)進(jìn)行移相、衰減和功率合成后發(fā)送至第五接收通道;所述幅相多功能芯片用于接收來(lái)自所述第五發(fā)射通道的第二射頻信號(hào),并對(duì)所述第二射頻信號(hào)進(jìn)行移相、衰減和功率分配后發(fā)送至所述第一發(fā)射通道、第二發(fā)射通道、第三發(fā)射通道及第四發(fā)射通道;
所述電源調(diào)制芯片用于對(duì)所述第一雙向放大器、第二雙向放大器、第三雙向放大器、第四雙向放大器及第五雙向放大器進(jìn)行電壓調(diào)控。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng),其特征在于,所述第一雙向放大器、第二雙向放大器、第三雙向放大器、第四雙向放大器及第五雙向放大器構(gòu)成相同,均包括:功率放大器、低噪聲放大器及開(kāi)關(guān),其中,
所述低噪聲放大器用于放大經(jīng)過(guò)接收通道的第一射頻信號(hào);
所述功率放大器用于放大經(jīng)過(guò)發(fā)射通道的第二射頻信號(hào);
所述開(kāi)關(guān)用于接收通道與發(fā)射通道的切換。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類(lèi)型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類(lèi)型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類(lèi)型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





