[發明專利]一種MEMS結構及其制造方法在審
| 申請號： | 202110663840.6 | 申請日： | 2021-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN113301484A | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發明（設計）人： | 夏永祿;劉端 | 申請（專利權）人： | 安徽奧飛聲學科技有限公司 |
| 主分類號： | H04R19/00 | 分類號： | H04R19/00;H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 230092 安徽省合肥市高新區習友路333*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mems 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種MEMS結構，其特征在于，包括：
襯底，具有空腔；
壓電復合振動層，形成在所述襯底上方并且覆蓋所述空腔，其中，在空腔上方的壓電復合振動層具有間隙，所述間隙從所述壓電復合振動層的上表面延伸穿透至所述壓電復合振動層的下表面，并且所述間隙與所述空腔連通，所述間隙將所述壓電復合振動層分割為外圍的懸臂梁膜和中心的振膜。
2.根據權利要求1所述的MEMS結構，其特征在于，所述壓電復合振動層包括：
支撐層，形成在所述襯底上方，并且覆蓋所述空腔；
第一電極層，形成在所述支撐層上方；
第一壓電層，形成在所述第一電極層上方；
第二電極層，形成在所述第一壓電層上方，
其中，所述間隙從所述第二電極層的上表面延伸至所述支撐層的下表面。
3.根據權利要求1所述的MEMS結構，其特征在于，所述振膜經均勻設置的支角固定于所述襯底上方。
4.根據權利要求3所述的MEMS結構，其特征在于，所述懸臂梁膜均勻間隔設置，并且所述懸臂梁膜呈扇形。
5.根據權利要求3所述的MEMS結構，其特征在于，所述懸臂梁膜均勻間隔設置，并且所述懸臂梁膜呈圓弧狀、橢圓形、三角形或其他多邊形。
6.一種MEMS結構的制造方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底上方依次形成支撐層、第一電極層、第一壓電層和第二電極層，并且形成從所述第二電極層的上表面延伸至所述支撐層的下表面的間隙；
從所述襯底的底部蝕刻所述襯底以形成空腔，并且所述空腔與所述間隙連通。
7.根據權利要求6所述的MEMS結構的制造方法，其特征在于，在形成所述支撐層之前，在所述襯底上方形成蝕刻停止層，所述蝕刻停止層在形成空腔之后被去除。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于安徽奧飛聲學科技有限公司，未經安徽奧飛聲學科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110663840.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種減壓閥的過壓保護裝置
- 下一篇：一種金屬板材鈑金焊接裝置
