[發明專利]用于沉積氧化硅膜的組合物和方法

在審

• 申請號: 202110662236.1
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN113403605A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: M·R·麥克唐納;雷新建;王美良;R·何;蕭滿超;S·K·拉賈拉曼
• 申請（專利權）人: 弗薩姆材料美國有限責任公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/455;C23C16/50;C09D1/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 吳亦華;徐一琨

1.一種將包含硅和氧的膜沉積到襯底上的方法，其包括以下步驟：

a)在反應器中提供襯底；

b)將至少一種硅前體化合物引入所述反應器，其中所述至少一種硅前體化合物選自式A和B：

其中，

R¹獨立地選自直鏈C₁至C₁₀烷基、支鏈C₃至C₁₀烷基、C₃至C₁₀環烷基、C₃至C₁₀雜環基、C₃至C₁₀烯基、C₃至C₁₀炔基和C₄至C₁₀芳基；

R²選自氫、直鏈C₁至C₁₀烷基、支鏈C₃至C₁₀烷基、C₃至C₁₀環烷基、C₃至C₁₀雜環基、C₃至C₁₀烯基、C₃至C₁₀炔基和C₄至C₁₀芳基，其中式A或B中的R¹和R²連接以形成環狀環結構或不連接以形成環狀環結構；

R³-R⁸各自獨立地選自氫、直鏈C₁至C₁₀烷基、支鏈C₃至C₁₀烷基、C₃至C₁₀環烷基、C₂至C₁₀烯基、C₂至C₁₀炔基和C₄至C₁₀芳基；

X選自氫、直鏈C₁至C₁₀烷基、支鏈C₃至C₁₀烷基、C₃至C₁₀環烷基、C₂至C₁₀烯基、C₂至C₁₀炔基、C₄至C₁₀芳基、鹵素和NR⁹R¹⁰，其中R⁹和R¹⁰各自獨立地選自氫、直鏈C₁至C₆烷基、支鏈C₃至C₆烷基、C₃至C₁₀環烷基、C₃至C₁₀烯基、C₃至C₁₀炔基和C₄至C₁₀芳基，其中R⁹和R¹⁰連接以形成環狀環結構或不連接以形成環狀環結構，并且其中R¹和R⁹連接以形成環狀環或不連接以形成環狀環；

c)用吹掃氣體吹掃所述反應器；

d)將含氧源引入所述反應器中；和

e)用吹掃氣體吹掃所述反應器，

其中重復步驟b至e，直到沉積期望厚度的所述膜，和

其中所述方法在約25℃至600℃的一個或多個溫度下進行。