[發(fā)明專(zhuān)利]磁盤(pán)用基板和磁盤(pán)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110659616.X
• 申請(qǐng)日: 2018-07-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113362863B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 越阪部基延
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: HOYA株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G11B5/73
• 分類(lèi)號(hào): G11B5/73
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 崔立宇;龐東成

1.一種磁盤(pán)用基板，其特征在于，

所述磁盤(pán)用基板具備：

圓盤(pán)形狀的基板主體，其為玻璃基板或鋁合金基板，所述基板主體具有相向的兩個(gè)主表面和外周端面，所述外周端面具備相對(duì)于所述主表面正交的側(cè)壁面和形成于所述主表面與所述側(cè)壁面之間的倒角面；和

包含Ni和P的合金的膜，其形成于所述基板主體的表面上，在所述主表面、所述倒角面和所述側(cè)壁面上連續(xù)地形成，

所述圓盤(pán)形狀的基板主體的外徑為90mm以上，

包含設(shè)置于所述兩個(gè)主表面的所述膜的所述磁盤(pán)用基板的厚度T為0.520mm以下，

設(shè)置于所述兩個(gè)主表面的所述膜的合計(jì)的厚度D與所述厚度T滿(mǎn)足下述式(1)，其中，所述厚度D和所述厚度T的單位為mm，

形成于所述外周端面的所述膜的厚度比形成于所述主表面的所述膜的厚度厚、并且為形成于所述主表面的所述膜的厚度的150％以下，

D≥0.0082/T－0.0015·····(1)。

2.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)用基板，其中，形成于所述外周端面的所述膜的厚度為形成于所述主表面的所述膜的厚度的110％以上。

3.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)用基板，其中，形成于所述外周端面的所述膜的表面粗糙度的輪廓最大高度Rz小于所述外周端面處的所述基板主體的表面粗糙度的輪廓最大高度Rz。

4.如權(quán)利要求2所述的磁盤(pán)用基板，其中，形成于所述外周端面的所述膜的表面粗糙度的輪廓最大高度Rz小于所述外周端面處的所述基板主體的表面粗糙度的輪廓最大高度Rz。

5.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)用基板，其中，作為與形成于所述外周端面的所述膜的界面的、所述外周端面處的所述基板主體的表面粗糙度的輪廓最大高度Rz為0.5μm以上。

6.如權(quán)利要求2所述的磁盤(pán)用基板，其中，作為與形成于所述外周端面的所述膜的界面的、所述外周端面處的所述基板主體的表面粗糙度的輪廓最大高度Rz為0.5μm以上。

7.如權(quán)利要求3所述的磁盤(pán)用基板，其中，作為與形成于所述外周端面的所述膜的界面的、所述外周端面處的所述基板主體的表面粗糙度的輪廓最大高度Rz為0.5μm以上。

8.如權(quán)利要求4所述的磁盤(pán)用基板，其中，作為與形成于所述外周端面的所述膜的界面的、所述外周端面處的所述基板主體的表面粗糙度的輪廓最大高度Rz為0.5μm以上。

9.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)用基板，其中，所述厚度D與所述厚度T滿(mǎn)足下述式(2)，其中，所述厚度D和所述厚度T的單位為mm，

D≥0.0094/T·····(2)。

10.如權(quán)利要求2所述的磁盤(pán)用基板，其中，所述厚度D與所述厚度T滿(mǎn)足下述式(2)，其中，所述厚度D和所述厚度T的單位為mm，

D≥0.0094/T·····(2)。

11.如權(quán)利要求3所述的磁盤(pán)用基板，其中，所述厚度D與所述厚度T滿(mǎn)足下述式(2)，其中，所述厚度D和所述厚度T的單位為mm，

D≥0.0094/T·····(2)。

12.如權(quán)利要求4所述的磁盤(pán)用基板，其中，所述厚度D與所述厚度T滿(mǎn)足下述式(2)，其中，所述厚度D和所述厚度T的單位為mm，

D≥0.0094/T·····(2)。

13.如權(quán)利要求5所述的磁盤(pán)用基板，其中，所述厚度D與所述厚度T滿(mǎn)足下述式(2)，其中，所述厚度D和所述厚度T的單位為mm，

D≥0.0094/T·····(2)。