[發明專利]等離子體處理方法和等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 202110659565.0
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN113451101A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 永海幸一;藤原一延;大下辰郎;道菅隆;丸山幸兒;永關一也;檜森慎司
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

等離子體處理腔室；

設置在所述等離子體處理腔室內的工作臺；

用于在所述等離子體處理腔室內生成等離子體的高頻電源；

對設置在所述工作臺中的電極施加負極性的電壓的至少一個電源；

構成為能夠使對所述電極的所述電壓的施加停止的切換機構；和

構成為能夠控制所述切換機構的控制器，

所述控制器控制所述切換機構，以使得周期性地反復執行：對所述電極施加來自所述電源的負極性的電壓，以將所述等離子體處理腔室內生成的等離子體中的離子引入到所述工作臺上所載置的基片的步驟，和對所述電極不施加來自所述電源的負極性的電壓的步驟，并且，所述電壓被施加至所述電極的期間在各個周期內所占的比率設定為40％以下。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述控制器控制所述切換機構以將所述比率設定為35％以下。

3.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述電源具有多個電源，

所述控制器控制所述切換機構，使得在各個周期內，施加至所述電極的所述電壓由從所述多個電源依次輸出的多個電壓形成。

4.如權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述多個電壓具有彼此相同的電平。

5.如權利要求1～4中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述控制器控制所述高頻電源，使得與開始所述電壓的施加同時地開始從所述高頻電源供給高頻，與停止所述電壓的施加同時地停止從所述高頻電源供給高頻。

6.如權利要求1～4中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述控制器控制所述高頻電源，使得與開始所述電壓的施加同時地停止從所述高頻電源供給高頻，與停止所述電壓的施加同時地開始從所述高頻電源供給高頻。

7.如權利要求1～6中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

具有負極性的所述電壓的電平為-3000V。

8.如權利要求1～7中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述等離子體處理裝置是電容耦合型的等離子體處理裝置。

9.如權利要求1～8中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述等離子體處理裝置在所述腔室內僅收納被載置在所述工作臺上的單一的基片。

10.一種在等離子體處理裝置中執行的等離子體處理方法，其特征在于：

所述等離子體處理裝置包括：

等離子體處理腔室；

設置在所述等離子體處理腔室內的工作臺；

用于在所述等離子體處理腔室內生成等離子體的高頻電源；和

對設置在所述工作臺中的電極施加負極性的電壓的至少一個電源，

所述等離子體處理方法包括：

從所述高頻電源供給高頻，以在所述等離子體處理腔室內生成等離子體的步驟；和

從所述電源對所述電極施加具有負極性的電壓，以將所述等離子體中的離子引入到所述工作臺上所載置的基片的步驟，

在施加電壓的所述步驟中，周期性地反復執行對所述電極施加所述電壓的步驟和對所述電極不施加所述電壓的步驟，并且，所述電壓被施加至所述電極的期間在各個周期內所占的比率設定為40％以下。

11.如權利要求10所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述比率設定為35％以下。

12.如權利要求10或11所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述等離子體處理裝置的所述電源具有多個電源，

在各個周期內，施加至所述電極的所述電壓由從所述多個電源依次輸出的多個電壓形成。