[發(fā)明專利]耦合至一個或多個光電檢測器的多個波導

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• 申請日: 2021-06-15
• 公開（公告）號: CN113804291A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: H·賈德森;卞宇生;A·D·斯特里克;C·米格爾;米歇爾·拉科斯基
• 申請（專利權(quán)）人: 格芯（美國）集成電路科技有限公司
• 主分類號: G01J1/42
• 分類號: G01J1/42;G02F1/00
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種結(jié)構(gòu)，包括：

第一光電檢測器，包括由鍺組成的第一光吸收層；以及

第一波導芯，耦合至該第一光吸收層，該第一波導芯由介電材料組成。

2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，該第一光吸收層包括頂表面，且該第一波導芯設(shè)置在該第一光吸收層的該頂表面上。

3.如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)，其中，該第一光吸收層包括側(cè)表面，且該第一波導芯延伸通過該第一光吸收層的該側(cè)表面至該第一光吸收層的該頂表面。

4.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，該第一光吸收層包括頂表面、第一側(cè)表面、及第二側(cè)表面，該第一波導芯橫向地重迭于該第一側(cè)表面，該第一波導芯橫向地重迭于該第二側(cè)表面，且該第一波導芯設(shè)置在該第一光吸收層的該頂表面上。

5.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，該第一波導芯包括側(cè)表面，該第一光吸收層包括側(cè)表面，且該第一波導芯的該側(cè)表面與該第一光吸收層的該側(cè)表面鄰接。

6.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，還包括：

第二光電檢測器，包括由鍺組成的第二光吸收層；以及

第二波導芯，耦合至該第二光吸收層，該第二波導芯由單晶硅組成，

其中，該第一光電檢測器、該第一波導芯、該第二光電檢測器、及該第二波導芯位在光子芯片上。

7.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，該第一光電檢測器包括由單晶硅組成的襯墊、在該襯墊中的陽極、及在該襯墊中的陰極，該襯墊具有頂表面，且該第一光吸收層設(shè)置在該襯墊的該頂表面上。

8.如權(quán)利要求7所述的結(jié)構(gòu)，其中，該第一光吸收層包括側(cè)表面以相對該襯墊的該頂表面的銳角傾斜，且該第一波導芯延伸通過該側(cè)表面。

9.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，還包括：

第二波導芯，耦合至該第一光吸收層。

10.如權(quán)利要求9所述的結(jié)構(gòu)，其中，該第一波導芯的該介電材料為氮化硅，且該第二波導芯由單晶硅組成。

11.如權(quán)利要求9所述的結(jié)構(gòu)，其中，該第一光吸收層包括第一側(cè)表面及相對該第一側(cè)表面的第二側(cè)表面，該第一波導芯延伸通過該第一光吸收層的該第一側(cè)表面，且該第二波導芯耦合至該第一光吸收層于該第一側(cè)表面處。

12.如權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)，其中，該第一波導芯沿縱軸延伸，且該第一波導芯以銳角或鈍角與該第一光吸收層的該第一側(cè)表面相交。

13.如權(quán)利要求9所述的結(jié)構(gòu)，其中，該第一光吸收層包括第一側(cè)表面及相對該第一側(cè)表面的第二側(cè)表面，該第一波導芯延伸通過該第一光吸收層的該第二側(cè)表面，且該第二波導芯耦合至該第一光吸收層于該第一光吸收層的該第一側(cè)表面處。

14.如權(quán)利要求9所述的結(jié)構(gòu)，還包括：

第一源，組構(gòu)以供應橫向電場模態(tài)的第一激光，其由該第一波導芯引導至該第一光吸收層；以及

第二源，組構(gòu)以供應橫向磁場模態(tài)的第二激光，其由該第二波導芯引導至該第一光吸收層。

15.如權(quán)利要求9所述的結(jié)構(gòu)，還包括：

第一源，組構(gòu)以供應橫向磁場模態(tài)的第一激光，其由該第一波導芯引導至該第一光吸收層；以及

第二源，組構(gòu)以供應橫向電場模態(tài)的第二激光，其由該第二波導芯引導至該第一光吸收層。

16.一種方法，包括：

形成包括由鍺組成的第一光吸收層的第一光電檢測器；以及

形成耦合至該第一光吸收層的第一波導芯，

其中，該第一波導芯由介電材料組成。