[發明專利]一種基于芴酮類聚合物駐極體的有機場效應晶體管存儲器

在審

• 申請號: 202110659295.3
• 申請日: 2021-06-11
• 公開（公告）號: CN114005938A
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 卞臨沂;解蒙;張忍;張哲瑋;解令海
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/30
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 范丹丹

1.一一種基于芴酮類聚合物駐極體的有機場效應晶體管存儲器，其特征在于：該有機場效應晶體管存儲器從下至上依次包括襯底及基于該襯底之上的柵電極、柵絕緣層、柱極體層、有機半導體層及源漏電極，所述駐極體層為芴酮類聚合物，芴酮類聚合物的厚度為10～30nm。

2.根據權利要求1所述的一種基于芴酮類聚合物駐極體的有機場效應晶體管存儲器，其特征在于：所選襯底的材質為高摻雜硅片、玻璃片或聚對苯二甲酸乙二醇酯。

3.根據權利要求1所述的一種基于芴酮類聚合物駐極體的有機場效應晶體管存儲器，其特征在于：所述柵電極的材質為高摻雜硅片、鋁、銅、鈦、金、銀或鉭的一種；所述柵絕緣層的材質為二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、聚苯乙烯或聚乙烯吡咯烷酮的一種，柵絕緣層的厚度為50～300nm。

4.根據權利要求1所述的一種基于芴酮類聚合物駐極體的有機場效應晶體管存儲器，其特征在于：所述有機半導體層的材質為并五苯、并四苯、酞菁銅、氟化酞菁銅、紅熒烯、并三苯或3-己基噻吩的一種，有機半導體層薄膜蒸鍍在柱極體層表面，有機半導體層的厚度為30～50nm。

5.根據權利要求1所述的一種基于芴酮類聚合物駐極體的有機場效應晶體管存儲器，其特征在于：所述源電極和漏電極的材質為金屬或有機導電材料，源電極和漏電極的厚度為50-100nm，源電極和漏電極之間設置有機半導體導電溝道。

6.根據權利要求1所述的一種基于芴酮類聚合物駐極體的有機場效應晶體管存儲器，其特征在于：所述芴酮類聚合物的結構通式如下：

其中：x為1～100中的自然數，y為1～100中的自然數，x+y＝100，n為1～300中的自然數。

7.根據權利要求6所述的一種基于芴酮類聚合物駐極體的有機場效應晶體管存儲器，其特征在于：Ar為含芳烴共軛結構單元，具體為以下結構中的一種：

其中：R1和R2為氫或具有1至22個碳原子的直鏈、支鏈或者環狀烷基鏈或其烷氧基鏈。