[發明專利]一種基于SPP和腔諧振的超窄帶等離子體傳感器在審
| 申請號： | 202110658599.8 | 申請日： | 2021-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN113533251A | 公開（公告）日： | 2021-10-22 |
| 發明（設計）人： | 伍鐵生;鐘旭;劉銳;劉巖;曹衛平;王宜穎 | 申請（專利權）人： | 桂林電子科技大學 |
| 主分類號： | G01N21/41 | 分類號： | G01N21/41;G01K11/125 |
| 代理公司： | 桂林文必達專利代理事務所(特殊普通合伙) 45134 | 代理人： | 張學平 |
| 地址： | 541004 廣西*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 spp 諧振 窄帶 等離子體 傳感器 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于SPP和腔諧振的超窄帶等離子體傳感器，其特征在于，
包括襯底和溫敏材料，所述襯底中開設有多個矩形納米腔，所述矩形納米腔呈陣列周期性布置，所述溫敏材料填充在所述矩形納米腔內。
2.如權利要求1所述的基于SPP和腔諧振的超窄帶等離子體傳感器，其特征在于，
所述矩形納米腔的長度值w為500nm，寬度值h2為300nm，所述矩形納米腔的陣列周期P為1200nm。
3.如權利要求2所述的基于SPP和腔諧振的超窄帶等離子體傳感器，其特征在于，
所述矩形納米腔的上邊距離所述襯底頂部的高度值h1為20nm，所述矩形納米腔的下邊距離所述襯底底部的高度值h3為500nm。
4.如權利要求3所述的基于SPP和腔諧振的超窄帶等離子體傳感器，其特征在于，
所述基于SPP和腔諧振的超窄帶等離子體傳感器還包括入射光源，所述入射光源為TM偏振光，波長范圍為800～1800nm，所述入射光源從所述襯底的上部入射。
5.如權利要求4所述的基于SPP和腔諧振的超窄帶等離子體傳感器，其特征在于，
所述襯底為金屬銀，所述溫敏材料為乙醇。
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