[發明專利]一種自對準T形柵高遷移率晶體管制備方法及裝置

在審

• 申請號: 202110658090.3
• 申請日: 2021-06-11
• 公開（公告）號: CN113488386A
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 童小東;邢利敏
• 申請（專利權）人: 深圳市時代速信科技有限公司
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L21/28
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郭浩輝;顏希文

本發明公開的一種自對準T形柵高遷移率晶體管制備方法及裝置，通過對基片進行第一沉積和第一刻蝕處理，以使所述基片上沉積有第一沉積層和預設形狀的第二沉積層；在所述第二沉積層的側壁處形成第一側墻和第二側墻；對所述基片進行離子注入處理及退火處理，形成源漏金屬沉積層；對所述基片進行第三沉積處理后形成的第五沉積層進行拋光處理，再對所述第二側墻進行完全腐蝕；對所述基片進行第四沉積和第四刻蝕處理，以使形成第三側墻；對所述基片進行柵金屬沉積和刻蝕處理，形成T形柵結構的金屬沉積層；對所述第一側墻、所述第三側墻、所述第一沉積層和所述第五沉積層進行完全腐蝕。本發明采用了側墻轉移技術，降低光刻難度，提高生產效率。

技術領域

本發明涉及晶體管制備的技術領域，特別是涉及一種自對準T形柵高遷移率晶體管制備方法及裝置。

背景技術

T形柵高遷移率晶體管，能夠工作于超高頻(毫米波)、超高速領域，但隨著如今通信頻率的提高，對T形柵高遷移率晶體管的工作頻率的要求也隨之提高，而提高T形柵高遷移率晶體管工作頻率，最有效的方法是降低柵長。

根據目前傳統工藝，一般都是通過提高光刻機的光刻精度來降低柵長。但提高光刻精度的同時，也會造成制造成本的大幅提升，相應的制作過程的難度也會有提高。對于100nm甚至以下柵長的器件，還會用到電子束光刻機，不僅價格昂貴且效率十分低下。另外就是工藝偏差增加，造成成品率的下降和工藝窗口的縮窄。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：提供一種自對準T形柵高遷移率晶體管制備方法及裝置，降低光刻難度，提高生產效率。

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種自對準T形柵高遷移率晶體管制備方法，包括：

S1：對基片進行第一沉積和第一刻蝕處理，以使所述基片上沉積有第一沉積層和預設形狀的第二沉積層，所述預設形狀為臺階狀；

S2：對所述基片進行第二沉積和第二刻蝕處理，以使在所述第二沉積層的側壁處形成第一側墻和第二側墻，并對所述第二沉積層進行完全腐蝕；

S3：對所述基片進行離子注入處理及退火處理，形成源漏極區域，并在所述源漏極區域進行金屬沉積，形成源漏金屬沉積層；

S4：對所述基片進行第三沉積處理，并對所述第三沉積處理形成的第五沉積層進行拋光處理，直至露出所述第一側墻和所述第二側墻的頂部，再對所述第二側墻進行完全腐蝕；

S5：對所述基片進行第四沉積和第四刻蝕處理，以使在所述第一側墻和所述第五沉積層間隔的左右兩側形成第三側墻，所述第三側墻為兩塊互相平行的墻體，對沉積于所述第三側墻中間的第一沉積層進行刻蝕處理；

S6：對所述基片進行柵金屬沉積和刻蝕處理，形成T形柵結構的金屬沉積層；

S7：對所述第一側墻、所述第三側墻、所述第一沉積層和所述第五沉積層進行完全腐蝕。

進一步的，在執行步驟S1之前，所述基片為三層結構基片；其中，所述三層結構由上到下依次為勢壘層、溝道層和襯底。

進一步的，對基片進行第一沉積和第一刻蝕處理，具體為：

先對所述基片沉積第一介質，形成第一沉積層，再對所述基片沉積第二介質，生成第二沉積層，并對所述第二沉積層進行刻蝕處理，所述第二介質沉積層的厚度大于所述第一介質沉積層的厚度。

進一步的，對所述基片進行第二沉積和第二刻蝕處理，以使在所述臺階狀的沉積層的側壁處形成第一側墻和第二側墻，具體為：