[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110656877.6
• 申請(qǐng)日: 2021-06-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113540230A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張萬(wàn)春;張煜;張濛;劉海軍;賈富春;胡龍;王雨晨;顧浩;蔡小龍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中興通訊股份有限公司;西安電子科技大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/778
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/778;H01L23/31;H01L21/335
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 梁國(guó)平

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

外延基片，所述外延基片包括勢(shì)壘層，所述勢(shì)壘層上表面設(shè)有源電極、漏電極和柵電極；

疊層鈍化層，包括第一鈍化層和第二鈍化層，所述第二鈍化層位于所述第一鈍化層的上層，所述第一鈍化層由非摻雜P型材料構(gòu)成，所述第二鈍化層由氧化鋁、氮化硅和氧化硅中的任意一種構(gòu)成，所述疊層鈍化層設(shè)置于所述源電極和所述漏電極之間，所述柵電極設(shè)置于所述疊層鈍化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述非摻雜P型材料包括氧化鎳。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述勢(shì)壘層種類(lèi)為鋁鎵氮。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述勢(shì)壘層頂部設(shè)置有氮化鎵帽層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一鈍化層的厚度為30nm至200nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二鈍化層的厚度為30nm至200nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述外延基片自下而上還包括襯底、成核層、緩沖層和溝道層，所述勢(shì)壘層位于所述溝道層的上層。

8.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括有如權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件。

9.一種半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于，包括：

在外延基片的勢(shì)壘層上制作源電極和漏電極；

在所述勢(shì)壘層上依次生長(zhǎng)第一鈍化層和第二鈍化層，形成疊層鈍化層，其中，所述第一鈍化層由非摻雜P型材料構(gòu)成，所述第二鈍化層由氧化鋁、氮化硅和氧化硅中的任意一種構(gòu)成；

在所述疊層鈍化層制作柵電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在外延基片的勢(shì)壘層上制作源電極和漏電極，包括：

在所述勢(shì)壘層上涂抹光刻膠并光刻出源電極區(qū)域和漏電極區(qū)域；

采用磁控濺射或電子束蒸發(fā)工藝，在所述源電極區(qū)域和所述漏電極區(qū)域淀積歐姆金屬，并采用快速熱退火工藝進(jìn)行退火處理，形成歐姆接觸。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述勢(shì)壘層上依次生長(zhǎng)第一鈍化層和第二鈍化層，形成疊層鈍化層，包括：

在所述勢(shì)壘層上利用磁控濺射工藝生長(zhǎng)所述第一鈍化層；

在所述第一鈍化層上采用等離子增強(qiáng)原子層沉積工藝淀積所述第二鈍化層，形成所述疊層鈍化層。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述疊層鈍化層制作柵電極，包括：

在所述疊層鈍化層上涂抹光刻膠并光刻出柵電極區(qū)域，利用電感耦合等離子體干法刻蝕工藝去除所述柵電極區(qū)域?qū)?yīng)的所述疊層鈍化層，形成柵槽；

采用磁控濺射或電子束蒸發(fā)工藝，在所述柵槽上方淀積柵極金屬，形成柵電極；

去除光刻膠。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述在外延基片的勢(shì)壘層上制作源電極和漏電極之前，還包括：

對(duì)所述外延基片進(jìn)行清洗。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述外延基片自下而上還包括襯底、成核層、緩沖層和溝道層，所述勢(shì)壘層位于所述溝道層的上層。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制作方法，其特征在于，在所述外延基片的勢(shì)壘層上制作源電極和漏電極之前，還包括：

在所述外延基片刻蝕隔離區(qū)域，利用電感耦合等離子體工藝刻蝕所述隔離區(qū)域至所述緩沖層，以形成臺(tái)面隔離。