[發(fā)明專利]轉(zhuǎn)子組件和自起動永磁同步磁阻電機在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110656304.3 | 申請日: | 2021-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN113193674A | 公開(公告)日: | 2021-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李霞;史進飛;張志東;肖勇 | 申請(專利權(quán))人: | 珠海格力電器股份有限公司 |
| 主分類號: | H02K1/27 | 分類號: | H02K1/27;H02K21/02 |
| 代理公司: | 北京煦潤律師事務(wù)所 11522 | 代理人: | 劉子輝;梁永芳 |
| 地址: | 519070*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 轉(zhuǎn)子 組件 起動 永磁 同步 磁阻 電機 | ||
本申請?zhí)峁┮环N轉(zhuǎn)子組件和自起動永磁同步磁阻電機。該轉(zhuǎn)子組件包括轉(zhuǎn)子鐵芯(1),在垂直于轉(zhuǎn)子鐵芯(1)的中心軸線的橫截面上,轉(zhuǎn)子鐵芯(1)上設(shè)置有軸孔(6)、狹縫槽(2)、q軸鼠籠槽(3)和永磁體(4),q軸鼠籠槽(3)設(shè)置在狹縫槽(2)的兩端,永磁體(4)安裝在至少部分狹縫槽(2)的兩端,位于同一狹縫槽(2)內(nèi)的兩個永磁體(4)間隔設(shè)置。根據(jù)本申請的轉(zhuǎn)子組件,能夠增大轉(zhuǎn)子空間的利用率,在利用電機磁阻轉(zhuǎn)矩的同時,增大電機的永磁轉(zhuǎn)矩,減小電機鐵耗,提升電機出力及效率。
本申請要求于2021年1月26日提交中國專利局、申請?zhí)枮?021101026526、發(fā)明名稱為“轉(zhuǎn)子組件和自起動永磁同步磁阻電機”的中國專利申請的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本申請中。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及電機技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種轉(zhuǎn)子組件和自起動永磁同步磁阻電機。
背景技術(shù)
自起動永磁輔助同步磁阻電機在永磁輔助同步磁阻電機的基礎(chǔ)上,結(jié)合了異步電機的優(yōu)點,通過轉(zhuǎn)子導(dǎo)條產(chǎn)生的異步轉(zhuǎn)矩實現(xiàn)自起動,通過永磁轉(zhuǎn)矩和磁阻轉(zhuǎn)矩實現(xiàn)恒速運行。與異步電機相比,電機可恒速運行且轉(zhuǎn)子損耗低,效率高;與異步起動永磁同步電機相比,永磁體用量少,電機成本低。
但自起動永磁輔助同步磁阻電機的轉(zhuǎn)子上同時設(shè)置磁障層和導(dǎo)磁通道,兩者的寬度相互制約,不管是磁障層還是導(dǎo)磁通道的寬度過小,均會影響電機效率,導(dǎo)致轉(zhuǎn)子鐵芯飽和程度較高,同時設(shè)置磁障層和永磁體會進一步增大電機飽和度,導(dǎo)致電機鐵耗增大,電機效率降低。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本申請要解決的技術(shù)問題在于提供一種轉(zhuǎn)子組件和自起動永磁同步磁阻電機,能夠增大轉(zhuǎn)子空間的利用率,在利用電機磁阻轉(zhuǎn)矩的同時,增大電機的永磁轉(zhuǎn)矩,減小電機鐵耗,提升電機出力及效率。
為了解決上述問題,本申請?zhí)峁┮环N轉(zhuǎn)子組件,包括轉(zhuǎn)子鐵芯,在垂直于轉(zhuǎn)子鐵芯的中心軸線的橫截面上,轉(zhuǎn)子鐵芯上設(shè)置有軸孔、狹縫槽、q軸鼠籠槽和永磁體,q軸鼠籠槽設(shè)置在狹縫槽的兩端,永磁體安裝在至少部分狹縫槽的兩端,位于同一狹縫槽內(nèi)的兩個永磁體間隔設(shè)置。
優(yōu)選地,狹縫槽包括弧線段和直線段,直線段位于弧線段的兩端。
優(yōu)選地,弧線段的d軸方向?qū)挾妊刂h離d軸的方向遞增。
優(yōu)選地,狹縫槽至少為兩層,狹縫槽的d軸方向?qū)挾妊刂鴱闹虚g到兩端的方向遞增,相鄰的狹縫槽之間的導(dǎo)磁通道的d軸方向?qū)挾妊刂鴱闹虚g到兩端的方向遞增。
優(yōu)選地,狹縫槽包括磁阻段和安裝段,安裝段位于磁阻段的兩端,安裝段沿q軸方向延伸,永磁體安裝在安裝段內(nèi),永磁體的充磁方向與d軸平行。
優(yōu)選地,永磁體布置至少兩層,沿著d軸徑向向內(nèi)的方向,永磁體沿q軸方向的長度遞增。
優(yōu)選地,永磁體布置至少兩層,沿著d軸徑向向內(nèi)的方向,永磁體與d軸之間的最小間距遞減。
優(yōu)選地,q軸鼠籠槽沿q軸方向延伸且相對q軸平行。
優(yōu)選地,相鄰的兩個q軸鼠籠槽的導(dǎo)磁通道寬度為d1,與該兩個q軸鼠籠槽對應(yīng)的兩個狹縫槽之間的導(dǎo)磁通道寬度為d2,其中d1≥d2。
優(yōu)選地,狹縫槽和永磁體均為多層,狹縫槽的層數(shù)大于或等于永磁體的層數(shù)。
優(yōu)選地,狹縫槽的層數(shù)大于永磁體的層數(shù)時,未安裝永磁體的狹縫槽的d軸方向?qū)挾妊刂h離d軸的方向遞增,安裝永磁體的狹縫槽包括弧線段和直線段,直線段位于弧線段的兩端,永磁體安裝在直線段內(nèi)。
優(yōu)選地,沿著d軸徑向向外的方向,狹縫槽的弧線段的曲率遞減,位于同一層的狹縫槽的外圓弧曲率小于內(nèi)圓弧曲率。
優(yōu)選地,轉(zhuǎn)子鐵芯上還設(shè)置有d軸鼠籠槽,d軸鼠籠槽位于q軸鼠籠槽靠近d軸的一側(cè)。
優(yōu)選地,d軸鼠籠槽沿轉(zhuǎn)子鐵芯的周向延伸。
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