[發(fā)明專利]存儲器子系統(tǒng)中具有減少的編程干擾的短編程驗證恢復(fù)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110654996.8 | 申請日： | 2021-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN113808657A | 公開（公告）日： | 2021-12-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | H-Y·陳;Y·董 | 申請（專利權(quán)）人： | 美光科技公司 |
| 主分類號： | G11C29/38 | 分類號： | G11C29/38;G11C29/44;G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 王龍 |
| 地址： | 美國愛*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲器 子系統(tǒng) 具有 減少 編程 干擾 驗證 恢復(fù) | ||
1.一種存儲器裝置，其包括：
存儲器陣列；以及
控制邏輯，其以操作方式與所述存儲器陣列耦合，以執(zhí)行包括以下各項的操作：
在所述存儲器陣列上啟動編程操作，所述編程操作包括編程階段、編程恢復(fù)階段、編程驗證階段和編程驗證恢復(fù)階段；以及
使負(fù)電壓信號在所述編程操作的所述編程驗證恢復(fù)階段期間被施加到所述存儲器陣列的數(shù)據(jù)塊的第一多個字線，其中所述第一多個字線中的每一個耦合到所述數(shù)據(jù)塊中的存儲器單元串中的第一多個存儲器單元中的對應(yīng)存儲器單元，所述第一多個字線包括與所述編程操作相關(guān)聯(lián)的所選擇字線以及鄰近于所述所選擇字線的一或多個數(shù)據(jù)字線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中所述所選擇字線耦合到所述多個存儲器單元中的第一存儲器單元，并且其中鄰近于所述所選擇字線的所述一或多個數(shù)據(jù)字線耦合到所述存儲器單元串中的所述第一存儲器單元的源極側(cè)上的所述第一多個存儲器單元中的一或多個。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器裝置，其中鄰近于所述所選擇字線的所述一或多個數(shù)據(jù)字線包括耦合到所述第一存儲器單元的所述源極側(cè)上的存儲器單元的閾值數(shù)目個數(shù)據(jù)字線，并且其中所述閾值數(shù)目個數(shù)據(jù)字線不包含耦合到所述存儲器單元串中的所述第一存儲器單元的所述源極側(cè)上的存儲器單元的至少一個數(shù)據(jù)字線。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器裝置，其中鄰近于所述所選擇字線的所述一或多個數(shù)據(jù)字線包括耦合到所述存儲器單元串中的所述第一存儲器單元的所述源極側(cè)上的存儲器單元的所有數(shù)據(jù)字線。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器裝置，其中鄰近于所述所選擇字線的所述一或多個數(shù)據(jù)字線包括耦合到所述存儲器單元串的漏極端的閾值數(shù)目個存儲器單元內(nèi)的所述第一存儲器單元的所述源極側(cè)上的存儲器單元的數(shù)據(jù)字線。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器裝置，其中所述控制邏輯用以執(zhí)行包括以下各項的另外操作：
使接地電壓信號在所述編程驗證恢復(fù)階段期間被施加到所述數(shù)據(jù)塊的第二多個字線，其中所述第二多個字線中的每一個耦合到所述存儲器單元串中的所述第一存儲器單元的漏極側(cè)上的第二多個存儲器單元中的對應(yīng)存儲器單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中所述編程操作包括多個編程階段、多個編程恢復(fù)階段、多個編程驗證階段和多個編程驗證恢復(fù)階段，并且其中所述負(fù)電壓僅在所述多個編程驗證恢復(fù)階段的子集期間被施加到所述第一多個字線，所述子集發(fā)生在閾值數(shù)目個所述多個編程階段已發(fā)生之后。
8.一種方法，其包括：
在存儲器裝置上啟動編程操作，所述編程操作包括編程階段、編程恢復(fù)階段、編程驗證階段和編程驗證恢復(fù)階段；以及
使負(fù)電壓信號在所述編程操作的所述編程驗證恢復(fù)階段期間被施加到所述存儲器裝置的數(shù)據(jù)塊的第一多個字線，其中所述第一多個字線中的每一個耦合到所述數(shù)據(jù)塊中的存儲器單元串中的第一多個存儲器單元中的對應(yīng)存儲器單元，所述第一多個字線包括與所述編程操作相關(guān)聯(lián)的所選擇字線以及鄰近于所述所選擇字線的一或多個數(shù)據(jù)字線。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述所選擇字線耦合到所述多個存儲器單元中的第一存儲器單元，并且其中鄰近于所述所選擇字線的所述一或多個數(shù)據(jù)字線耦合到所述存儲器單元串中的所述第一存儲器單元的源極側(cè)上的所述第一多個存儲器單元中的一或多個。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中鄰近于所述所選擇字線的所述一或多個數(shù)據(jù)字線包括耦合到所述第一存儲器單元的所述源極側(cè)上的存儲器單元的閾值數(shù)目個數(shù)據(jù)字線，并且其中所述閾值數(shù)目個數(shù)據(jù)字線不包含耦合到所述存儲器單元串中的所述第一存儲器單元的所述源極側(cè)上的存儲器單元的至少一個數(shù)據(jù)字線。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中鄰近于所述所選擇字線的所述一或多個數(shù)據(jù)字線包括耦合到所述存儲器單元串中的所述第一存儲器單元的所述源極側(cè)上的存儲器單元的所有數(shù)據(jù)字線。
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