[發(fā)明專利]像元錯位的銦鎵砷線列探測器、檢測方法及銦鎵砷光敏芯片

有效

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• 申請日: 2021-06-11
• 公開（公告）號: CN114361190B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李雪;劉大福;顧溢;孫奪
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫中科德芯感知科技有限公司
• 主分類號: H01L27/144
• 分類號: H01L27/144;G01J1/42
• 代理公司: 上海弼興律師事務(wù)所 31283
• 代理人: 楊東明;余中燕

1.一種像元錯位的銦鎵砷線列探測器，其特征在于，所述銦鎵砷線列探測器包括銦鎵砷光敏芯片，所述銦鎵砷光敏芯片包括至少兩行平行排列的像元；相鄰行中的像元沿行方向錯位設(shè)置。

2.如權(quán)利要求1所述的銦鎵砷線列探測器，其特征在于，所述銦鎵砷線列探測器還包括讀出電路；

所述讀出電路與所述銦鎵砷光敏芯片電連接；

所述讀出電路用于從所述銦鎵砷光敏芯片讀取光電轉(zhuǎn)換信號。

3.如權(quán)利要求2所述的銦鎵砷線列探測器，其特征在于，所述銦鎵砷線列探測器還包括互連層；所述互連層包括分別設(shè)置于所述銦鎵砷光敏芯片的下表面和所述讀出電路的上表面且一一對應(yīng)的電極組；

所述銦鎵砷光敏芯片和所述讀出電路通過所述互連層電連接。

4.如權(quán)利要求3所述的銦鎵砷線列探測器，其特征在于，所述銦鎵砷光敏芯片的下表面覆蓋有鈍化膜層；

所述電極組包括設(shè)置于所述銦鎵砷光敏芯片下表面的電極凸塊，所述電極凸塊凸出于所述鈍化膜層。

5.如權(quán)利要求2所述的銦鎵砷線列探測器，其特征在于，所述讀出電路還設(shè)置有若干外接電極，所述外接電極用于和外部接口電連接，以將所述光電轉(zhuǎn)換信號發(fā)送至外部。

6.如權(quán)利要求5所述的銦鎵砷線列探測器，其特征在于，所述外接電極通過引線鍵合方式將所述光電轉(zhuǎn)換信號發(fā)送至所述外部接口。

7.如權(quán)利要求1所述的銦鎵砷線列探測器，其特征在于，各行中的像元沿行方向等距排列，且相鄰行中的像元在行方向的錯位距離為同一行中相鄰像元的中心距的二分之一。

8.一種基于銦鎵砷線列探測器的檢測方法，其特征在于，所述檢測方法采用權(quán)利要求2～7中任一項(xiàng)所述的銦鎵砷線列探測器進(jìn)行，包括步驟：

對檢測對象進(jìn)行推掃式成像以得到成像數(shù)據(jù)，所述成像數(shù)據(jù)由所述銦鎵砷線列探測器的像元分別獲取的像元信號轉(zhuǎn)化得到；

根據(jù)閾值范圍，確定所述像元信號中的異常值；

根據(jù)所述異常值判定所述檢測對象與所述像元對應(yīng)的位置為異常位置。

9.一種銦鎵砷光敏芯片，其特征在于，包括至少兩行平行排列的像元；相鄰行中的像元沿行方向錯位設(shè)置。

10.如權(quán)利要求9所述的銦鎵砷光敏芯片，其特征在于，各行中的像元沿行方向等距排列，且相鄰行中的像元在行方向的錯位距離為同一行中相鄰像元的中心距的二分之一。