[發明專利]一種分段控制的多晶硅制備方法有效
| 申請號： | 202110654366.0 | 申請日： | 2021-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN113371717B | 公開（公告）日： | 2022-12-27 |
| 發明（設計）人： | 甘易武;高志明;鮑守珍;高承燕;鄭連基;李延新;范曄;楊玉福 | 申請（專利權）人： | 青海亞洲硅業半導體有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/035 | 分類號： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 杜朗宇 |
| 地址： | 810007 青*** | 國省代碼： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 分段 控制 多晶 制備 方法 | ||
1.一種分段控制的多晶硅制備方法，其特征在于，包括如下內容：
在0h~20h，控制還原爐中溫度由945℃~955℃提升至965℃~985℃，TCS:DCS的質量比由（93.5:6.5）~（94:6）調整至（95.2:4.8）~（95.8:4.2），TCS:H2的質量比由（1:0.09）~（1:0.11）調整至（1:0.045）~（1:0.055）；
在21h~100h，控制還原爐中溫度為965℃~985℃提升至995℃~1090℃，TCS:DCS的質量比由（95.2:4.8）~（95.8:4.2）調整至（97:3）~（97.5:2.5），或從21h起一直保持為（96.1:3.9）~（96.7:3.3），TCS:H2的質量比由（1:0.045）~（1:0.055）調整至（1:0.007）~（1:0.025）；
在101h至反應結束，控制還原爐中溫度為995℃~1050℃，TCS:DCS的質量比為（97.3:2.7）~（99.1:0.9），TCS:H2的質量比為（1:0.008）~（1:0.012）；
反應溫度或物料用量的變化經歷的變化過程10次等比例梯度變化。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在0h~20h，控制還原爐中溫度由950℃提升至970℃~980℃，TCS:DCS的質量比由93.7:6.3調整至95.5:4.5，TCS:H2的質量比由1:0.1調整至1:0.05；
在20h~100h，控制還原爐中溫度為970℃~980℃提升至1000℃~1080℃，TCS:DCS的質量比由95.5:4.5調整至97.2:2.8，或從21h起一直保持為96.4:3.6，TCS:H2的質量比由1:0.05調整至（1:0.008）~（1:0.02）；
在101h至反應結束，控制還原爐中溫度為1000℃~1040℃，TCS:DCS的質量比為（97.3:2.7）~（99.1:0.9），TCS: H2的質量比為（1:0.009）~（1:0.01）；
反應溫度或物料用量的變化經歷的變化過程10次等比例梯度變化。
3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，先將TCS、DCS汽化后再通入還原爐。
4.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，將TCS、DCS、H2被加熱至110~140℃再通入還原爐。
5.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述TCS為高純TCS，所述DCS為高純DCS。
6.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述還原爐為改良西門子法所使用的還原爐。
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