[發明專利]存儲器裝置和包括存儲器裝置的存儲系統

在審

• 申請號: 202110654337.4
• 申請日: 2021-06-11
• 公開（公告）號: CN113809092A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 金俊亨;權永振;金政垠;樸昞坤;趙晟元
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉林果;尹淑梅

1.一種存儲器裝置，所述存儲器裝置包括：

下結構；

堆疊結構，位于所述下結構上，所述堆疊結構包括沿豎直方向交替地堆疊的水平層和層間絕緣層，并且所述水平層中的每個包括柵電極；

垂直結構，沿所述豎直方向穿透所述堆疊結構，所述垂直結構包括：核心區；墊圖案，包括墊金屬圖案，位于所述核心區上；介電結構，包括面對所述核心區的側表面的第一部分、面對所述墊金屬圖案的側表面的至少一部分的第二部分以及數據存儲層；以及溝道層，位于所述介電結構與所述核心區之間；

接觸結構，位于所述垂直結構上；以及

導電線，位于所述接觸結構上。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述溝道層在所述介電結構的所述第二部分與所述墊金屬圖案的所述側表面之間以及在所述介電結構的所述第一部分與所述核心區之間延伸。

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述墊圖案還包括：

墊阻擋層，與所述墊金屬圖案的所述側表面和所述墊金屬圖案的底表面接觸；以及

墊金屬半導體化合物層，與所述墊阻擋層接觸，所述墊阻擋層的至少一部分位于所述墊金屬半導體化合物層與所述墊金屬圖案之間。

4.根據權利要求3所述的存儲器裝置，其中，所述墊圖案還包括第一墊金屬層，所述第一墊金屬層位于所述墊阻擋層與所述核心區之間，所述墊金屬半導體化合物層位于所述溝道層與所述墊阻擋層之間。

5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述墊圖案還包括墊半導體層，所述墊半導體層位于所述墊金屬圖案與所述核心區之間并延伸到所述墊金屬圖案的所述側表面上。

6.根據權利要求5所述的存儲器裝置，其中，所述墊圖案還包括：

墊阻擋層，覆蓋所述墊金屬圖案的所述側表面和所述墊金屬圖案的底表面；以及

墊金屬半導體化合物層，位于所述墊阻擋層與所述墊半導體層之間。

7.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述墊金屬圖案包括：

第一寬度部分，具有第一寬度；以及

第二寬度部分，具有比所述第一寬度大的第二寬度，并且

其中，所述溝道層的上表面與所述墊圖案接觸。

8.根據權利要求7所述的存儲器裝置，其中，所述數據存儲層的上表面與所述墊圖案接觸。

9.根據權利要求7所述的存儲器裝置，其中，所述墊金屬圖案還包括在所述第一寬度部分與所述第二寬度部分之間的具有第三寬度的第三寬度部分，所述第三寬度比所述第一寬度大且比所述第二寬度小。

10.根據權利要求1至9中的任一項所述的存儲器裝置，其中，所述接觸結構包括：

下接觸插塞，與所述墊圖案接觸，所述下接觸插塞包括：下插塞圖案；以及下阻擋層，覆蓋所述下插塞圖案的側表面和底表面；以及

上接觸插塞，位于所述下接觸插塞上并且接觸所述下接觸插塞，所述上接觸插塞包括：上插塞圖案；以及上阻擋層，覆蓋所述上插塞圖案的側表面和底表面。

11.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其中，所述下接觸插塞還包括下金屬層，所述下金屬層覆蓋所述下阻擋層的底表面和外側表面。