[發(fā)明專利]一種激光脈沖沉積系統(tǒng)及加工方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110653625.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-06-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113463045B | 公開(公告)日: | 2022-10-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 秦應(yīng)雄;李曉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華中科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C14/34 | 分類號(hào): | C23C14/34;C23C14/54 |
| 代理公司: | 華中科技大學(xué)專利中心 42201 | 代理人: | 徐美琳 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 激光 脈沖 沉積 系統(tǒng) 加工 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種激光脈沖沉積系統(tǒng)及加工方法,屬于激光技術(shù)領(lǐng)域。系統(tǒng)包括依次連接的脈沖光源、掃描光路模塊和真空沉積模塊,脈沖光源發(fā)出的光束入射至掃描光路模塊,經(jīng)過掃描光路模塊聚焦后斜入射至真空沉積模塊,掃描光路模塊用于使真空沉積模塊內(nèi)靶材表面任意位置的光斑保持均勻大小,聚焦光斑在靶材表面掃描過程中,襯底與靶材距離保持不變,實(shí)現(xiàn)均勻光斑脈沖沉積。本發(fā)明提供的激光脈沖沉積系統(tǒng)及加工方法通過控制掃描光路模塊,對(duì)靶材表面不同區(qū)域進(jìn)行脈沖濺射,實(shí)現(xiàn)對(duì)大面積、高均勻性薄膜的高效加工。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于激光技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種激光脈沖沉積系統(tǒng)及加工方法。
背景技術(shù)
脈沖激光沉積(Pulse Laser Deposition)技術(shù)是目前制備高溫超導(dǎo)、半導(dǎo)體、鐵電、類金剛石及陶瓷等薄膜的重要技術(shù)之一,該技術(shù)具有可制備高熔點(diǎn)、復(fù)雜成分薄膜及加工方式清潔且易于控制等特點(diǎn)。脈沖激光沉積技術(shù)的主要原理為將脈沖激光器產(chǎn)生的超快超強(qiáng)脈沖激光聚焦于靶材表面,使其表面瞬間產(chǎn)生高溫及燒蝕,進(jìn)一步生成高溫高壓等離子體。等離子體定向局域絕熱膨脹,沿靶材表面法線方向向襯底發(fā)射,在襯底上沉積形成薄膜。
隨著薄膜工業(yè)技術(shù)的發(fā)展,對(duì)PLD制備的薄膜也提出了一些新的要求和待解決的問題。具體在于:由于一般激光聚焦光分布為高斯分布,產(chǎn)生的等離子體主要集中于光斑聚焦區(qū)域,直接導(dǎo)致無法制備大面元的薄膜和薄膜厚度及成分的均勻性較差,雖然通過控制靶材和基片相對(duì)運(yùn)動(dòng),一定程度上改善薄膜質(zhì)量,但對(duì)系統(tǒng)成本及穩(wěn)定性提出了新的問題;其次,由于沉積參數(shù)的復(fù)雜機(jī)理,在薄膜沉積過程中,其表面存在微米——亞微米尺度的顆粒物污染,同樣會(huì)導(dǎo)致薄膜均勻性變差,雖然通過基于速率不同的機(jī)械屏蔽技術(shù)來減少顆粒物,但卻降低了沉積速率。實(shí)質(zhì)上的解決方法要從激光與靶材的相互作用的物理過程著手,深入研究液滴的產(chǎn)生機(jī)理,進(jìn)而調(diào)整沉積參數(shù),從根本上減少薄膜顆粒物的污染。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,本發(fā)明的目的在于提供一種激光脈沖沉積系統(tǒng)及加工方法,旨在解決目前脈沖激光沉積技術(shù)制備薄膜過程中面元較小、膜層均勻性較差、薄膜沉積速率較低的問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,按照本發(fā)明的一方面,提供了一種激光脈沖沉積系統(tǒng),包括依次連接的脈沖光源、掃描光路模塊和真空沉積模塊,所述脈沖光源發(fā)出的光束經(jīng)準(zhǔn)直擴(kuò)束后入射至所述掃描光路模塊,再經(jīng)過所述掃描光路模塊后斜入射至真空沉積模塊,所述掃描光路模塊用于使真空沉積模塊內(nèi)靶材表面任意位置的光斑保持均勻大小,聚焦光斑在靶材表面掃描過程中,襯底與靶材距離保持不變,實(shí)現(xiàn)均勻光斑脈沖沉積。
進(jìn)一步地,對(duì)于市場(chǎng)上常見地脈沖沉積系統(tǒng),其脈沖光源多為波長(zhǎng)為248nm的準(zhǔn)分子激光器,但其體積龐大,價(jià)格較高,且難以獲得大面積的均勻薄膜;但本發(fā)明使用的脈沖光源則為價(jià)格低廉的低能量、高重頻全固態(tài)激光器,可采用1064nm/1030nm基頻至213nm/206nm五倍頻等多個(gè)波段的激光光源一種或多種光源組合的形式進(jìn)行等薄膜材料的沉積。與準(zhǔn)分子激光光源相比,極大地降低了沉積系統(tǒng)的成本,且在膜層一致性、均勻性和顆粒物問題上取得了極大地改善。
進(jìn)一步地,掃描光路模塊包括45°反射鏡、一維振鏡、平場(chǎng)聚焦透鏡以及可移動(dòng)光學(xué)平臺(tái)單元,脈沖光源發(fā)出的光束經(jīng)45°反射鏡反射至一維振鏡,再經(jīng)過一維振鏡反射至平場(chǎng)聚焦透鏡,所述一維振鏡在一定角度范圍內(nèi)偏轉(zhuǎn),所述可移動(dòng)光學(xué)平臺(tái)在與一維振鏡掃描相互垂直的維度整體移動(dòng)掃描光路模塊,實(shí)現(xiàn)聚焦光斑在二維平面內(nèi)均勻分布掃描。
有益效果:通過電機(jī)控制一維振鏡在一定角度范圍內(nèi)偏轉(zhuǎn),光束經(jīng)一維振鏡反射后以不同的角度入射至平場(chǎng)聚焦透鏡,在靶材表面不同位置形成均勻大小的聚焦光斑。當(dāng)一維振鏡控制聚焦光斑在靶材表面在某一維度移動(dòng)時(shí),可移動(dòng)光學(xué)平臺(tái)帶動(dòng)掃描光路模塊在與一維振鏡掃描相互垂直的維度整體平行移動(dòng),聚焦光斑在二維平面內(nèi)均勻分布掃描。通過程序控制可移動(dòng)光學(xué)平臺(tái)的運(yùn)動(dòng)范圍和一維振鏡的偏轉(zhuǎn)角度,實(shí)現(xiàn)對(duì)不同尺寸薄膜的加工,同時(shí)提高薄膜沉積速率和薄膜沉積的均勻性。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





