[發明專利]太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請號: 202110653291.4
• 申請日: 2021-06-11
• 公開（公告）號: CN113314622A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 陳孝業;蔣秀林;尹海鵬
• 申請（專利權）人: 晶澳（揚州）太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/0687;H01L31/18
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 趙國榮

本公開的實施例提供一種太陽能電池及其制造方法。該太陽能電池包括：硅基體；至少一個層對，設置在所述硅基體的表面上，其中所述至少一個層對中每個層對包括：氧化層，設置在所述層對的靠近所述硅基體的一側；摻雜硅膜層，設置在所述氧化層的遠離所述硅基體的一側，其中所述至少一個層對中最靠近所述硅基體的所述氧化層的厚度大于所述至少一個層對中其他氧化層的厚度。

技術領域

本公開的實施例涉及一種太陽能電池及其制備方法。

背景技術

對于晶體硅太陽能電池來說，在硅基體表面存在缺陷，容易導致少數載流子復合而影響晶體硅太陽能電池的光電轉換。因此通常需要在硅基體表面和電極之間設置鈍化結構以鈍化硅基體表面，以降低晶體硅基體表面少數載流子的復合速率。

采用遂穿氧化層和摻雜硅膜層的疊層鈍化結構來鈍化硅基體表面，可以起到優良的鈍化效果。

從鈍化效果上看，摻雜硅膜層中的摻雜原子濃度越高越好。但是過高的摻雜濃度在后續的高溫激活工序中會發生摻雜原子穿透遂穿氧化層到達硅基體的現象，摻雜原子到達硅基體后反而會降低鈍化效果。

發明內容

本公開的實施例提供一種太陽能電池及其制備方法，該太陽能電池具有降低的電極與摻雜硅膜層的接觸電阻，且具有提高的填充因子。

一方面，本公開的實施例提供一種太陽能電池，包括：硅基體；至少一個層對，設置在所述硅基體的表面上，其中所述至少一個層對中每個層對包括：氧化層，設置在所述層對的靠近所述硅基體的一側；摻雜硅膜層，設置在所述氧化層的遠離所述硅基體的一側，其中所述至少一個層對中最靠近所述硅基體的所述氧化層的厚度大于所述至少一個層對中其他氧化層的厚度。

例如，在從所述硅基體的表面到遠離所述硅基體的方向上，所述至少一個層對中所述氧化層的厚度依次遞減。

例如，所述至少一個層對中除最靠近所述硅基體的氧化層外的所述其他氧化層的厚度相同。

例如，所述至少一個層對中，最外層的所述氧化層的厚度小于所述至少一個層對中其他氧化層的厚度。

例如，所述至少一個層對中最靠近所述硅基體的所述氧化層的厚度大于1.8nm且小于等于2.5nm，除去最靠近所述硅基體的所述氧化層的其他氧化層的厚度小于1.8nm。

例如，所述摻雜硅膜層為n型摻雜硅膜層，在從所述硅基體的表面到遠離所述硅基體的方向上，所述至少一個層對中所述n型摻雜硅膜層的n型摻雜劑的摻雜濃度逐漸增加。

例如，所述至少一個層對中最靠近所述硅基體的n型摻雜硅膜層的n型摻雜劑的摻雜濃度大于1*10²⁰cm^-3。

例如，所述太陽能電池，還包括：電極，設置在所述至少一個層對的遠離所述硅基體的一側。

例如，所述至少一個層對的數量為2-50。

另一方面，本公開的實施例還提供一種根據第一方面所述的太陽能電池的制造方法，包括：提供硅基體；在所述硅基體的表面上形成至少一個層對，其中形成所述至少一個層對包括：在所述至少一個層對中的每個層對的靠近所述硅基體的一側形成氧化層；在所述氧化層的遠離所述硅基體的一側形成摻雜硅膜層，其中所述至少一個層對中最靠近所述硅基體的所述氧化層的厚度大于所述至少一個層對中其他氧化層的厚度。

例如，所述至少一個層對包括3個或以上的層對，形成所述至少一個層對包括：S1、在所述硅基體的表面上形成氧化層；S2、在最靠近所述硅基體的所述氧化層上沉積原位摻雜硅膜層；S3、在所述摻雜硅膜層形成氧化層；S4、在所述氧化層上沉積原位摻雜硅膜層；重復以上步驟S3-S4直到形成倒數第二個層對。