[發(fā)明專利]一種芯片及其切割方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110652881.5
• 申請日: 2021-06-11
• 公開（公告）號: CN113394312B
• 公開（公告）日: 2023-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周智斌
• 申請（專利權(quán)）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14
• 代理公司: 長沙七源專利代理事務所(普通合伙) 43214
• 代理人: 張勇;周曉艷

本發(fā)明提供了一種芯片切割方法，包括制備芯片和切割芯片，其中切割芯片時，采用激光隱形切割工藝對若干個芯片的襯底進行分割，激光隱形切割工藝包括至少兩次切割深度依次遞減的激光切割，其中，第一次激光切割采用高頻率、高功率和高速度的切割方式；由多次激光切割形成的激光點陣中，沿切割深度方向排列的同列激光點之間的偏移量小于10微米；本發(fā)明還提供了一種通過上述芯片切割方法制備的芯片。本發(fā)明可以更加有效的控制激光切割時產(chǎn)生的延伸紋路，使芯片側(cè)壁粗化，便于實現(xiàn)光的取出；通過后續(xù)的激光切割可進一步釋放第一次激光切割產(chǎn)生的應力，進一步的控制襯底側(cè)壁的裂紋，確保在切割過程中不會導致芯片的漏電，提升芯片的IR良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種芯片及其切割方法。

背景技術(shù)

隨著人們對健康的關(guān)注意識的增加，人們對消菌殺毒產(chǎn)品的需求呈爆發(fā)性增長，UVC(短波紫外線)LED芯片是由第三代半導體材料GaN制備而成的，在性能方面具有使用壽命長、安全環(huán)保、可用于殺菌消毒等特點，但是UVC芯片在進行切割時容易由于生產(chǎn)工藝不成熟而導致芯片切割不良，易產(chǎn)生雙胞現(xiàn)象，導致芯片切割良率較低，制約著UVC芯片的廣泛使用。

綜上所述，急需一種芯片及其切割方法以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的在于提供一種芯片及其切割方法，以解決芯片切割時易出現(xiàn)切割不良的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種芯片切割方法，包括以下步驟：

制備芯片：在襯底上制備若干個芯片；

切割芯片：采用激光隱形切割工藝對若干個芯片的襯底進行分割，激光隱形切割工藝包括至少兩次切割深度依次遞減的激光切割，所述切割深度具體指激光焦點與襯底底面之間的距離；其中，第一次激光切割采用高頻率、高功率和高速度的切割方式；由多次激光切割形成的激光點陣中，沿切割深度方向排列的同列激光點之間的偏移量小于10微米。

優(yōu)選的，所述第一次激光切割采用的激光頻率為90～110kHz，采用的激光打點功率為0.36～0.56W，激光切割速度為450～650mm/s。

優(yōu)選的，所述第一次激光切割的激光焦點距離芯片電流擴展層的距離為70～120微米，最后一次激光切割的切割深度為20～40微米。

優(yōu)選的，所述制備芯片步驟中得到的芯片的厚度為300～420微米，第一次激光切割的切割深度為100～150微米。

優(yōu)選的，最后一次激光切割的激光切割速度為300～400mm/s。

優(yōu)選的，所述切割芯片步驟包括四次切割深度依次遞減的激光切割；其中，第二次激光切割的切割深度為70～100微米，第三次激光切割的切割深度為50～80微米。

優(yōu)選的，激光切割采用的激光波長為950～1100納米。

優(yōu)選的，所述制備芯片步驟包括先在襯底上依次生長AlN層、N型AlGaN層、MQW層、P型AlGaN層、P型GaN層；再制備出電流擴展層、P電極層、N電極層、絕緣層和接觸電極層。

優(yōu)選的，所述制備芯片步驟還包括對襯底進行研磨減薄。

本發(fā)明還提供了一種芯片，采用上述的芯片切割方法制成，包括沿高度方向依次層疊設(shè)置的襯底、AlN層、N型AlGaN層、MQW層、P型AlGaN層、P型GaN層、電流擴展層、絕緣層和接觸電極層；還包括設(shè)置于P型GaN層上的P電極層和設(shè)置于N型AlGaN層上的N電極層。

應用本發(fā)明的技術(shù)方案，具有以下有益效果：