[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110652584.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-06-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114242749A | 公開(公告)日: | 2022-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李駿熙;崔洛初;柳慜烈;李東基;任忠烈;崔凡洛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;馮志云 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,其中,所述顯示裝置包括:
基板;
晶體管,與所述基板重疊;
層間絕緣層,與所述晶體管重疊并且包括第一凹槽;
第一導(dǎo)電線,電連接到所述晶體管并且至少部分地設(shè)置在所述第一凹槽的內(nèi)部;
像素電極,電連接到所述晶體管并且與所述第一導(dǎo)電線重疊;
鈍化層,設(shè)置在所述像素電極和所述第一導(dǎo)電線之間并且直接接觸所述像素電極和所述第一導(dǎo)電線中的至少一者;
公共電極,與所述像素電極重疊;以及
發(fā)光元件層,設(shè)置在所述公共電極和所述像素電極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述顯示裝置還包括第一數(shù)據(jù)線,其中,
所述層間絕緣層還包括第二凹槽,
所述第一導(dǎo)電線是驅(qū)動(dòng)電壓線,并且
所述第一數(shù)據(jù)線至少部分地設(shè)置在所述第二凹槽的內(nèi)部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,
在所述驅(qū)動(dòng)電壓線的厚度方向上,所述第一凹槽的深度等于所述驅(qū)動(dòng)電壓線的厚度,并且
在所述第一數(shù)據(jù)線的厚度方向上,所述第二凹槽的深度等于所述第一數(shù)據(jù)線的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,
在所述顯示裝置的截面中,所述第一凹槽的寬度大于或等于所述驅(qū)動(dòng)電壓線的寬度,并且
在所述顯示裝置的所述截面中,所述第二凹槽的寬度大于或等于所述第一數(shù)據(jù)線的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,所述顯示裝置還包括第二數(shù)據(jù)線,其中,
所述第二數(shù)據(jù)線與所述第一數(shù)據(jù)線隔開并且至少部分地設(shè)置在所述第二凹槽的內(nèi)部。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,
恰好一條數(shù)據(jù)線設(shè)置在所述第二凹槽中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述層間絕緣層包括第一絕緣層和第二絕緣層,
所述第一絕緣層設(shè)置在所述第二絕緣層和所述基板之間,并且
所述第一導(dǎo)電線直接接觸所述第一絕緣層的面并且設(shè)置在所述第二絕緣層的兩個(gè)部分之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置,其中,
所述第一絕緣層的所述面直接接觸所述第二絕緣層的所述兩個(gè)部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述顯示裝置還包括驅(qū)動(dòng)電壓線,其中,
所述驅(qū)動(dòng)電壓線與所述第一導(dǎo)電線隔開并且至少部分地設(shè)置在所述第一凹槽的內(nèi)部。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述顯示裝置還包括:
封裝層,與所述公共電極重疊;
光阻擋層,與所述封裝層重疊;以及
濾色器,與所述像素電極重疊并且直接接觸所述光阻擋層,
其中,所述晶體管包括氧化物半導(dǎo)體和多晶半導(dǎo)體中的至少一種。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





