[發明專利]半導體晶體管結構及其制作方法有效
| 申請號： | 202110651874.3 | 申請日： | 2021-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN113611743B | 公開（公告）日： | 2022-06-07 |
| 發明（設計）人： | 劉昇旭;黃世賢;談文毅 | 申請（專利權）人： | 聯芯集成電路制造(廈門)有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 361100 福建*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 晶體管 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種半導體晶體管結構，包含：
基底，具有第一導電型；
鰭結構，成長在所述基底上，所述鰭結構包含具有與所述第一導電型相反的第二導電型的第一外延層、在所述第一外延層上的第二外延層，以及在所述第二外延層上具有所述第二導電型的第三外延層；以及
柵極，位于所述鰭結構上，
其中，所述第一導電型為P型，所述第二導電型為N型，具有所述第二導電型的所述第一外延層和所述第三外延層包含摻雜磷或砷的SiGe層，所述第二外延層是本征SiGe層或P型摻雜SiGe層。
2.根據權利要求1所述的半導體晶體管結構，其中，所述磷或砷的濃度在1E18?1E19atoms /cm3之間。
3.根據權利要求1所述的半導體晶體管結構，其中，所述SiGe層的厚度在1?20nm之間。
4.根據權利要求1所述的半導體晶體管結構，其中，所述鰭結構具有3nm至100nm的寬度。
5.根據權利要求1所述的半導體晶體管結構，其中，另包含：
柵極介電層，介于所述柵極和所述鰭結構之間。
6.根據權利要求1所述的半導體晶體管結構，其中，另包含：
緩沖層，設置在所述鰭結構的底部；以及
應變松弛層，設于所述緩沖層上, 其中所述應變松弛層是摻雜鍺的硅層，且具有漸層或梯度變化的鍺濃度。
7.一種形成半導體晶體管結構的方法，包含：
提供具有第一導電型的基底；
在所述基底上成長鰭結構，所述鰭結構包含具有與所述第一導電型相反的第二導電型的第一外延層、在所述第一外延層上的第二外延層，以及在所述第二外延層上的具有所述第二導電型的第三外延層；以及
在所述鰭結構上形成柵極，
其中，所述第一導電型為P型，所述第二導電型為N型，具有所述第二導電型的所述第一外延層和所述第三外延層包含摻雜磷或砷的SiGe層，所述第二外延層是本征SiGe層或P型摻雜SiGe層。
8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述磷或砷的濃度在1E18?1E19 atoms / cm3之間。
9.根據權利要求7所述的方法，其中，所述SiGe層的厚度在1?20nm之間。
10.根據權利要求7所述的方法，其中，所述鰭結構具有3nm至100nm的寬度。
11.根據權利要求7所述的方法，其中，另包含：
在所述柵極和所述鰭結構之間形成柵極介電層。
12.根據權利要求7所述的方法，其中，另包含：
在所述鰭結構的底部形成緩沖層；以及
在所述緩沖層上形成應變松弛層，其中所述應變松弛層是摻雜鍺的硅層，且具有漸層或梯度變化的鍺濃度。
13.一種半導體晶體管結構，包含：
基底，具有第一導電型；
鰭結構，成長在所述基底上，所述鰭結構包含具有與所述第一導電型相反的第二導電型的第一外延層、在所述第一外延層上的第二外延層，以及在所述第二外延層上具有所述第二導電型的第三外延層，其中所述第二外延層具有所述第一導電型或者為本征層，所述第二外延層作為通道層；以及
柵極，位于所述鰭結構上，
其中，所述第一導電型為N型，所述第二導電型為P型，具有所述第二導電型的所述第一外延層和所述第三外延層包含摻雜硼的SiC層或Si層，所述第二外延層是本征SiGe層或N型摻雜SiGe層。
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