[發(fā)明專利]一種用于單晶硅制備的單晶爐及單晶硅的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110651170.6 | 申請日： | 2021-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN113106537B | 公開（公告）日： | 2021-11-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 歐子楊;白梟龍;張昕宇 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成麗杰 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 單晶硅 制備 單晶爐 方法 | ||
1.一種用于單晶硅制備的單晶爐，其特征在于，包括：
反應(yīng)腔室以及分別環(huán)繞所述反應(yīng)腔室設(shè)置的第一保溫筒、第二保溫筒，所述第一保溫筒的側(cè)壁上設(shè)有第一開口，所述第一保溫筒的軸向方向與所述第二保溫筒的軸向方向相同，所述第一保溫筒以及所述第二保溫筒中的一者環(huán)繞另一者設(shè)置；
所述單晶爐具有第一工作狀態(tài)和第二工作狀態(tài)，且所述單晶爐可在所述第一工作狀態(tài)與所述第二工作狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，其中，當所述單晶爐在所述第一工作狀態(tài)與所述第二工作狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時，所述第一保溫筒相對于所述第二保溫筒移動；
當所述單晶爐處于所述第一工作狀態(tài)時，所述第二保溫筒的側(cè)壁蓋合所述第一開口、以將所述反應(yīng)腔室與所述單晶爐的外部隔斷；
當所述單晶爐處于所述第二工作狀態(tài)時，所述第二保溫筒露出所述第一開口、以使所述反應(yīng)腔室經(jīng)由所述第一開口連通至所述單晶爐的外部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶硅制備的單晶爐，其特征在于，還包括：第一驅(qū)動組件；
所述第一驅(qū)動組件用于驅(qū)動所述第一保溫筒以及所述第二保溫筒中的一者相對于另一者沿所述第一保溫筒軸向方向移動，使所述單晶爐在所述第一工作狀態(tài)與所述第二工作狀態(tài)間轉(zhuǎn)換。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于單晶硅制備的單晶爐，其特征在于，所述第一保溫筒包括沿其軸向方向依次設(shè)置的第一上保溫筒、第一中保溫筒以及第一下保溫筒，所述第一中保溫筒分別與所述第一上保溫筒以及所述第一下保溫筒相連并共同組成所述第一保溫筒，所述第一開口位于所述第一下保溫筒的側(cè)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于單晶硅制備的單晶爐，其特征在于，所述第二保溫筒包括沿其軸向方向依次設(shè)置的第二上保溫筒、第二中保溫筒以及第二下保溫筒，所述第二中保溫筒分別與所述第二上保溫筒以及所述第二下保溫筒相連并共同組成所述第二保溫筒，所述第二上保溫筒的側(cè)壁上設(shè)有第二開口，且所述第一保溫筒可露出所述第二開口、以使所述反應(yīng)腔室經(jīng)由所述第二開口連通至所述單晶爐的外部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶硅制備的單晶爐，其特征在于，所述第二保溫筒的側(cè)壁上設(shè)有第三開口；當所述單晶爐處于所述第二工作狀態(tài)時，所述第三開口與所述第一開口對準、以使所述反應(yīng)腔室經(jīng)由所述第一開口以及所述第三開口連通至所述單晶爐的外部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于單晶硅制備的單晶爐，其特征在于，所述第一保溫筒的側(cè)壁或所述第二保溫筒的側(cè)壁設(shè)有第四開口；所述第一保溫筒和所述第二保溫筒中的一者可相對于另一者沿所述第一保溫筒軸向方向移動至所述反應(yīng)腔室經(jīng)由所述第四開口與所述單晶爐的外部連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于單晶硅制備的單晶爐，其特征在于，所述第一保溫筒包括沿其軸向方向依次設(shè)置的第三上保溫筒、第三中保溫筒以及第三下保溫筒，所述第三中保溫筒分別與所述第三上保溫筒以及所述第三下保溫筒相連并共同組成所述第一保溫筒；所述第二保溫筒包括沿其軸向方向依次設(shè)置的第四上保溫筒、第四中保溫筒以及第四下保溫筒，所述第四中保溫筒分別與所述第四上保溫筒以及所述第四下保溫筒相連并共同組成所述第二保溫筒；所述第二保溫筒環(huán)繞所述第一保溫筒；所述第一開口位于所述第三上保溫筒的側(cè)壁，所述第三開口位于所述第四上保溫筒的側(cè)壁或所述第四中保溫筒的側(cè)壁，所述第四開口位于所述第三下保溫筒的側(cè)壁。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于單晶硅制備的單晶爐，其特征在于，還包括：第二驅(qū)動組件；
所述第二驅(qū)動組件用于驅(qū)動所述第一保溫筒以及所述第二保溫筒中的一者相對于另一者沿所述第一保溫筒軸向方向移動，以使所述單晶爐在所述第一工作狀態(tài)與所述第二工作狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于單晶硅制備的單晶爐，其特征在于，還包括：第三驅(qū)動組件；
所述第三驅(qū)動組件用于驅(qū)動所述第一保溫筒以及所述第二保溫筒中的一者相對于另一者沿所述第一保溫筒周向方向轉(zhuǎn)動，以使所述單晶爐在所述第一工作狀態(tài)與所述第二工作狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。
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