[發明專利]一種在金屬表面同步制備微織構和微織化微坑的方法

有效

• 申請號: 202110650264.1
• 申請日: 2021-06-11
• 公開（公告）號: CN113369608B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 明平美;李宗彬;牛屾;王文凱;鄭興帥;閆亮;李士成;韓磊;張亞楠
• 申請（專利權）人: 河南理工大學;南通美精微電子有限公司
• 主分類號: B23H3/00
• 分類號: B23H3/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種在金屬表面同步制備微織構和微織化微坑的方法，它包括如下步驟：

S1. 將平面工件（1）置于帶式掩膜電解加工系統（10）的托輥（8）上，并置于柱面設有陣列微凸點（5-1）的金屬圓柱體（5）的下方；

S2. 調整帶式掩膜電解加工系統（10）的主動輪（6）、從動輪（4）和金屬圓柱體（5）的空間位置，使含有海量微通孔（3-1）的掩膜帶（3）處于張緊狀態且金屬圓柱體（5）輕壓在平面工件（1）的待加工面上；

S3. 將電解電源（7）的正、負極分別與平面工件（1）和金屬圓柱體（5）相連接；

S4. 開啟位于掩膜帶（3）與金屬圓柱體（5）之間的電解液噴嘴（2），向它們的夾角處噴射電解液；

S5. 啟動主動輪（6）使之順時針勻速轉動，此時，掩膜帶（3）在摩擦力的作用下作勻速移動并帶動金屬圓柱體（5）和從動輪（4）勻速轉動，平面工件（1）也在掩膜帶（3）的帶動作用下作水平勻速直線移動；

S6. 啟動電解電源（7）使平面工件（1）和金屬圓柱體（5）均通電，此時平面工件（1）的待加工面在電場與電解液的共同作用下發生選擇性電化學溶解作用，使得陣列微凸點（5-1）所對應的區域表面形成微織化微坑（1-1）、其他區域只形成微織構（1-2），進而在平面工件（1）的表面同步制得微織構（1-2）和微織化微坑（1-1）。

2.根據權利要求1所述的一種在金屬表面同步制備微織構和微織化微坑的方法，其特征在于：所述的掩膜帶（3）為微通孔（3-1）面積占比為70%-95%的電絕緣高分子材料薄膜。

3.根據權利要求1所述的一種在金屬表面同步制備微織構和微織化微坑的方法，其特征在于：所述的掩膜帶（3）的厚度為50μm-200μm。

4.根據權利要求1所述的一種在金屬表面同步制備微織構和微織化微坑的方法，其特征在于：所述的微通孔（3-1）的孔徑為100nm-10μm。

5.根據權利要求1所述的一種在金屬表面同步制備微織構和微織化微坑的方法，其特征在于：所述的主動輪（6）和從動輪（4）均由電絕緣材料制成。

6.根據權利要求1所述的一種在金屬表面同步制備微織構和微織化微坑的方法，其特征在于：所述的陣列微凸點（5-1）的材質為金屬。