[發(fā)明專利]一種毫米波基片集成波導(dǎo)天線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110649484.2 | 申請日： | 2021-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN113471687B | 公開（公告）日： | 2023-05-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 錢正芳;熊浩;王任衡;周燦欽;梁豪;范姝婷;孫一翎 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳大學(xué) |
| 主分類號： | H01Q1/38 | 分類號： | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q21/00;H01Q21/06 |
| 代理公司： | 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人： | 張全文 |
| 地址： | 518060 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 毫米波 集成 波導(dǎo) 天線 | ||
1.一種毫米波基片集成波導(dǎo)天線，其特征在于：
包括底層基片(100)、中間基片(200)和頂層基片(300)；其中，
所述底層基片(100)設(shè)置有基片集成波導(dǎo)；所述基片集成波導(dǎo)包括基片集成波導(dǎo)平面魔T結(jié)構(gòu)(101)和兩個第一功分器(102)，兩個所述第一功分器(102)關(guān)于所述基片集成波導(dǎo)平面魔T結(jié)構(gòu)(101)對稱設(shè)置，所述基片集成波導(dǎo)平面魔T結(jié)構(gòu)(101)和兩個所述第一功分器(102)構(gòu)成單脈沖饋電網(wǎng)絡(luò)；所述基片集成波導(dǎo)平面魔T結(jié)構(gòu)(101)具有第一輸入饋電結(jié)構(gòu)(101a)和第二輸入饋電結(jié)構(gòu)(101b)，所述第一輸入饋電結(jié)構(gòu)(101a)和所述第二輸入饋電結(jié)構(gòu)(101b)分別用于通過所述單脈沖饋電網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生和信號的波束與差信號的波束；所述第一功分器(102)內(nèi)朝向所述中間基片(200)的一側(cè)設(shè)置有第一層間耦合縫隙(103)；其中，第一功分器(102)和第二功分器(201)均為一分二功分器，兩個第一功分器(102)和兩個第二功分器(201)通過第一層間耦合縫隙(103)和第二層間耦合縫隙(202)電性耦合而構(gòu)成一個一分四功分器；
所述中間基片(200)設(shè)置有兩個第二功分器(201)，所述第二功分器(201)內(nèi)設(shè)置有第二層間耦合縫隙(202)；兩個所述第一功分器(102)和兩個所述第二功分器(201)一一正對設(shè)置，兩個所述第一功分器(102)和兩個所述第二功分器(201)通過所述第一層間耦合縫隙(103)和第二層間耦合縫隙(202)電性耦合；所述第二功分器(201)內(nèi)朝向所述頂層基片(300)的一側(cè)設(shè)置有第一饋電耦合縫隙(203)；
所述頂層基片朝向所述中間基片(200)的一側(cè)設(shè)置有第二饋電耦合縫隙(301)，所述頂層基片背離所述中間基片(200)的一側(cè)設(shè)置有天線輻射陣列(302)；所述第一饋電耦合縫隙(203)和第二饋電耦合縫隙(301)電性耦合，所述第二饋電耦合縫隙(301)用于將電磁波饋至所述天線輻射陣列(302)以輻射出所述毫米波基片集成波導(dǎo)天線，其中，第一饋電耦合縫隙（203）和第二饋電耦合縫隙（301）形狀相同，均呈工字型。
2.如權(quán)利要求1所述的毫米波基片集成波導(dǎo)天線，其特征在于：
所述基片集成波導(dǎo)包括兩排金屬化通孔，分別為內(nèi)排金屬化通孔(101c)和外排金屬化通孔(101d)，所述內(nèi)排金屬化通孔(101c)和所述外排金屬化通孔(101d)間隔設(shè)置；所述內(nèi)排金屬化通孔(101c)包括依次間隔排列的多個金屬化通孔，所述外排金屬化通孔(101d)包括依次間隔排列的多個金屬化通孔；
所述基片集成波導(dǎo)設(shè)置為能夠允許通過調(diào)整所述內(nèi)排金屬化通孔(101c)與所述外排金屬化通孔(101d)的間隔距離和/或所述金屬化通孔的孔徑以調(diào)節(jié)電磁波信號的截止頻率。
3.如權(quán)利要求2所述的毫米波基片集成波導(dǎo)天線，其特征在于：
所述天線輻射陣列(302)包括多個天線單元，多個所述天線單元按照設(shè)定陣列排布構(gòu)成所述天線輻射陣列(302)，每個所述天線單元均呈工字型；所述第二饋電耦合縫隙(301)包括多個單縫隙，多個所述單縫隙按照所述設(shè)定陣列排布構(gòu)成所述第二饋電耦合縫隙(301)，每個所述單縫隙均呈工字型；
所述天線輻射陣列(302)的中心和所述第二饋電耦合縫隙(301)的中心重合，且所述天線單元和所述單縫隙兩者相互正交。
4.如權(quán)利要求3所述的毫米波基片集成波導(dǎo)天線，其特征在于：
所述設(shè)定陣列為N排M列，其中，N大于M；且，
所述N排的單排排布方向為所述頂層基片(300)的寬度方向；
所述M列的單列排布方向為所述頂層基片(300)的長度方向。
5.如權(quán)利要求3或4所述的毫米波基片集成波導(dǎo)天線，其特征在于：
每個所述天線單元均為雙元貼片天線單元。
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