[發(fā)明專利]NOR閃存及其操作方法與上電方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110648415.X
• 申請(qǐng)日: 2021-06-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115472202A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉曉慶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥格易集成電路有限公司;兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/14
• 分類號(hào): G11C16/14;G11C16/34
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 黃威

一種NOR閃存，包括：存儲(chǔ)器單元陣列；以及控制器，用于執(zhí)行：接收擦除指令；將擦除標(biāo)示位設(shè)定為第一取值，并存儲(chǔ)目標(biāo)擦除區(qū)域所在的塊的地址；對(duì)所述目標(biāo)擦除區(qū)域執(zhí)行擦除操作；以及響應(yīng)于對(duì)所述目標(biāo)擦除區(qū)域執(zhí)行擦除操作的期間未掉電，將所述擦除標(biāo)示位設(shè)定為第二取值，并刪除所述目標(biāo)擦除區(qū)域所在的塊的地址。還提供一種NOR閃存的操作方法及上電方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本揭示涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種NOR閃存及其操作方法與上電方法。

背景技術(shù)

在NOR閃存中，擦除固定容量的存儲(chǔ)器單元是常有的操作。NOR閃存的擦除機(jī)制是通過(guò)隧穿效應(yīng)強(qiáng)行把浮柵中的電子拉入溝道從而減小存儲(chǔ)器單元的閾值電壓。擦除時(shí)往往容易擦除的過(guò)深，即擦除后存儲(chǔ)器單元的柵極加壓等于0的情況下還會(huì)有漏電。如果擦除期間異常掉電，即在過(guò)擦除之前掉電，則存儲(chǔ)器單元就會(huì)存在漏電的現(xiàn)象。更明確地說(shuō)，現(xiàn)有NOR閃存在擦除期間僅做單純的擦除操作，異常掉電后芯片會(huì)存在漏電的風(fēng)險(xiǎn)。

因此需要對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題提出解決方法。

發(fā)明內(nèi)容

本揭示的目的在于提供一種NOR閃存及其操作方法與上電方法，其能解決現(xiàn)有技術(shù)中NOR閃存異常掉電后芯片會(huì)存在漏電風(fēng)險(xiǎn)的問(wèn)題。

為解決上述問(wèn)題，本揭示提供的一種NOR閃存包括：存儲(chǔ)器單元陣列；以及控制器。所述控制器用于執(zhí)行：接收擦除指令；將擦除標(biāo)示位設(shè)定為第一取值，并存儲(chǔ)目標(biāo)擦除區(qū)域所在的塊的地址；對(duì)所述目標(biāo)擦除區(qū)域執(zhí)行擦除操作；以及響應(yīng)于對(duì)所述目標(biāo)擦除區(qū)域執(zhí)行擦除操作的期間未掉電，將所述擦除標(biāo)示位設(shè)定為第二取值，并刪除所述目標(biāo)擦除區(qū)域所在的塊的地址。

于一實(shí)施例中，所述擦除標(biāo)示位和所述目標(biāo)擦除區(qū)域所在的塊的地址存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器單元陣列中。

為解決上述問(wèn)題，本揭示提供的一種NOR閃存的操作方法包括：接收擦除指令；將擦除標(biāo)示位設(shè)定為第一取值，并存儲(chǔ)目標(biāo)擦除區(qū)域所在的塊的地址；對(duì)所述目標(biāo)擦除區(qū)域執(zhí)行擦除操作；以及響應(yīng)于對(duì)所述目標(biāo)擦除區(qū)域執(zhí)行擦除操作的期間未掉電，將所述擦除標(biāo)示位設(shè)定為第二取值，并刪除所述目標(biāo)擦除區(qū)域所在的塊的地址。

于一實(shí)施例中，所述擦除標(biāo)示位和所述目標(biāo)擦除區(qū)域所在的塊的地址存儲(chǔ)在所述NOR閃存的存儲(chǔ)器單元陣列中。

為解決上述問(wèn)題，本揭示提供的一種NOR閃存包括：存儲(chǔ)器單元陣列；以及控制器。所述控制器用于執(zhí)行：接收上電指令；讀取擦除標(biāo)示位；響應(yīng)于讀取的所述擦除標(biāo)示位為第一取值，讀取塊地址；對(duì)所述塊地址對(duì)應(yīng)的塊執(zhí)行過(guò)擦除驗(yàn)證及軟編程操作；將所述擦除標(biāo)示位設(shè)定為第二取值，并刪除所述塊地址；以及讀取上電參數(shù)。

于一實(shí)施例中，所述擦除標(biāo)示位和所述塊地址存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器單元陣列中。

于一實(shí)施例中，讀取的所述擦除標(biāo)示位為第一取值指示在對(duì)所述塊地址對(duì)應(yīng)的塊執(zhí)行擦除操作時(shí)發(fā)生了異常掉電。

為解決上述問(wèn)題，本揭示提供的一種NOR閃存的上電方法，包括：接收上電指令；讀取擦除標(biāo)示位；響應(yīng)于讀取的所述擦除標(biāo)示位為第一取值，讀取塊地址；對(duì)所述塊地址對(duì)應(yīng)的塊執(zhí)行過(guò)擦除驗(yàn)證及軟編程操作；將所述擦除標(biāo)示位設(shè)定為第二取值，并刪除所述塊地址；以及讀取上電參數(shù)。

于一實(shí)施例中，所述擦除標(biāo)示位和所述塊地址存儲(chǔ)在所述NOR閃存的存儲(chǔ)器單元陣列中。

于一實(shí)施例中，讀取的所述擦除標(biāo)示位為第一取值指示在對(duì)所述塊地址對(duì)應(yīng)的塊執(zhí)行擦除操作時(shí)發(fā)生了異常掉電。